[發明專利]應力降低裝置

在審

• 申請號: 201210209629.8
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN103247594A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 呂盈締;陳文昭;毛明瑞;蔡冠智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種裝置，包括：

金屬結構，形成在襯底上方；

金屬間介電層，形成在所述襯底上方，其中，所述金屬結構的下部嵌入所述金屬間介電層；以及

倒杯形應力降低層，形成在所述金屬結構上方，其中，所述金屬結構的上部嵌入所述倒杯形應力降低層。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述倒杯形應力降低層包括：

第一部分，形成在所述金屬間介電層上，其中，所述金屬結構的上部被所述倒杯形應力降低層的所述第一部分包圍；以及

第二部分，形成在所述金屬結構的上端以及所述倒杯形應力降低層的所述第一部分上。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述倒杯形應力降低層的所述?第一部分的厚度為約1000

4.根據權利要求2所述的裝置，其中：

所述倒杯形應力降低層的所述第一部分由氮化硅形成；以及

所述倒杯形應力降低層的所述第二部分由氮化硅形成。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述金屬結構由銅形成。

6.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

金屬通孔，形成在所述金屬結構的下方。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述金屬結構通過采用單鑲嵌工藝形成。

8.一種器件，包括：

襯底，包含硅；

介電層，形成在所述襯底上方；

第一金屬層，形成在所述介電層上；

第一蝕刻終止層，形成在所述第一金屬層上方；

第一金屬間介電層，形成在所述第一蝕刻終止層上；

金屬通孔，形成在所述第一金屬間介電層中；

第二蝕刻終止層，形成在所述第一金屬間介電層上；

第二金屬間介電層，形成在所述第二蝕刻終止層上；

應力降低層，形成在所述第二金屬間介電層上；

金屬結構，包括：

下部，被所述第二蝕刻終止層包圍；

中部，被所述第二金屬間介電層包圍；以及

上部，被所述應力降低層包圍；以及

第三蝕刻終止層，形成在所述應力降低層以及所述金屬結構的上端上。

9.一種方法，包括：

在襯底上方形成第一金屬間介電層；

在所述第一金屬間介電層上形成應力降低層；

在所述應力降低層上形成第二金屬間介電層；

圖案化所述第一金屬間介電層、所述應力降低層和所述第二金屬間介電層以形成開口；

將金屬材料填充到所述開口中以形成金屬結構；

對所述第二金屬間介電層的表面實施化學機械平坦化工藝；以及

在所述應力降低層以及所述金屬結構的上端上形成蝕刻終止層。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述金屬結構的下方形成金屬通孔，其中，將所述金屬通孔電連接至所述金屬結構。