[發(fā)明專利]高功率低插損微波合路器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210209392.3 | 申請日： | 2012-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN102723566A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 顧倩;帕米特S恰瓦羅;潘沛然 | 申請（專利權）人： | 世達普（蘇州）通信設備有限公司 |
| 主分類號： | H01P5/16 | 分類號： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 王玉國;陳忠輝 |
| 地址： | 215021 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 低插損 微波 合路器 | ||
【權利要求書】：
1.高功率低插損微波合路器，其特征在于：包含殼體和置于殼體中的微帶耦合板、兩只兩端口的隔離器、高功率負載以及安裝于殼體上的連接器，兩只兩端口的隔離器和高功率負載安裝于微帶耦合板上，一只四端口的耦合器件的端口與兩只兩端口的隔離器的端口對應連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的高功率低插損微波合路器，其特征在于：所述耦合器件為3dB耦合器。
3.根據(jù)權利要求1所述的高功率低插損微波合路器，其特征在于：所述殼體上設有散熱裝置。
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