[發明專利]一種用于形成接觸孔的方法

有效

• 申請號: 201210209344.4
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN103515293A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 張海洋;王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于形成接觸孔的方法，包括：

提供襯底，所述襯底包括有源區且所述襯底上形成有柵極結構；

在所述有源區上形成金屬硅化物；

在所述襯底上依次形成接觸孔蝕刻停止層和第一層間介電層；

在所述第一層間介電層中形成共享接觸孔，所述共享接觸孔包括位于所述柵極結構之上的部分和位于所述有源區之上的部分；以及

在所述共享接觸孔底部形成金屬硅化物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述共享接觸孔底部形成金屬硅化物之后還包括：

在所述第一層間介電層中形成有源區接觸孔。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述有源區上形成所述金屬硅化物包括：

在所述襯底上除所述有源區以外的部分上形成自對準金屬硅化物阻擋層；

在所述襯底上方形成金屬層；以及

在從所述襯底露出的、未形成所述自對準金屬硅化物阻擋層的表面上形成金屬硅化物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述共享接觸孔底部形成金屬硅化物包括：

在所述襯底上除所述共享接觸孔以外的部分上形成自對準金屬硅化物阻擋層；

在所述襯底上方形成金屬層；以及

在從所述襯底露出的、未形成所述自對準金屬硅化物阻擋層的表面上形成金屬硅化物。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述金屬硅化物包含鈷、鎳和鉑中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述柵極結構包括柵極介電層和位于所述柵極介電層上的虛設多晶硅柵極，并且其中，在形成所述第一層間介電層之后且在形成所述共享接觸孔之前還包括：

在所述柵極結構中形成金屬柵極；以及

在所述第一層間介電層、所述接觸孔蝕刻停止層和所述金屬柵極上方形成第二層間介電層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，形成所述金屬柵極包括：

對所述第一層間介電層執行平坦化，以露出所述虛設多晶硅柵極的表面；以及

去除所述虛設多晶硅柵極，并填入金屬，從而形成所述金屬柵極。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述金屬柵極包含鉿、鈦、鉭、鋁、鋯、釕、鈀、鉑、鈷、鎳及其氧化物和碳化物中的至少一種。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述第一層間介電層中形成所述共享接觸孔包括：

在所述第一層間介電層中形成所述共享接觸孔的一部分，并且同時在所述第二層間介電層中形成所述共享接觸孔的另一部分。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述共享接觸孔底部形成金屬硅化物之后還包括：

在所述第一和第二層間介電層中形成有源區接觸孔。

11.根據權利要求6所述的方法，其中，在形成所述金屬柵極之后且在形成所述第二層間介電層之前還包括：

在所述襯底和所述金屬柵極上方形成另一接觸孔蝕刻停止層。

12.根據權利要求6所述的方法，其中，所述柵極介電層為高介電常數材料。

13.根據權利要求1或6所述的方法，其中，所述柵極結構兩側形成有側墻，且所述側墻最外層為氮化物。