[發(fā)明專(zhuān)利]去耦電容器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210208922.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103208535B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳重輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/94
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/94;H01L21/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)，以及在第一摻雜劑類(lèi)型的所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)之上以及它們之間的電極；

接觸結(jié)構(gòu)，與所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)以及所述電極直接接觸；

第三注入?yún)^(qū)，具有與所述第一摻雜劑類(lèi)型不同的第二摻雜劑類(lèi)型，所述第三注入?yún)^(qū)具有在其上的塊狀接觸件，

其中，所述接觸結(jié)構(gòu)包括平行于溝道長(zhǎng)度方向延伸的至少一個(gè)槽形接觸件；并且，自頂向下看，所述至少一個(gè)槽形接觸件位于所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)之外。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個(gè)槽形接觸件與所述電極直接接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中：

所述接觸結(jié)構(gòu)包括具有多個(gè)槽形接觸件的矩形；

所述多個(gè)槽形接觸件中的第一個(gè)與所述第一注入?yún)^(qū)直接接觸；

所述多個(gè)槽形接觸件中的第二個(gè)與所述第二注入?yún)^(qū)直接接觸；以及

所述至少一個(gè)槽形接觸件與所述電極直接接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述接觸結(jié)構(gòu)包括：

與所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)直接接觸的第一接觸件層；

在所述第一接觸件層上的第二接觸件層；以及

在所述電極上的接觸部分。

5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述半導(dǎo)體器件被包括在所述襯底上的多個(gè)器件中，所述多個(gè)器件沿溝道長(zhǎng)度方向布置；以及

所述第三注入?yún)^(qū)和所述塊狀接觸件沿所述多個(gè)器件中的每一個(gè)在所述溝道長(zhǎng)度方向上縱向延伸。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中：

所述半導(dǎo)體器件被包括在所述襯底上的多個(gè)器件中，所述多個(gè)器件垂直于溝道長(zhǎng)度方向布置；

所述接觸結(jié)構(gòu)垂直于所述溝道長(zhǎng)度方向延伸，并且連接所述多個(gè)器件的注入?yún)^(qū)；以及

所述第三注入?yún)^(qū)和所述塊狀接觸件沿所述多個(gè)器件中的每一個(gè)垂直于所述溝道長(zhǎng)度方向延伸。

7.一種去耦電容器，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一p-n結(jié)二極管和第二p-n結(jié)二極管，每個(gè)p-n結(jié)二極管具有二極管接觸件，并且所述第一p-n結(jié)二極管和第二p-n結(jié)二極管具有第二注入?yún)^(qū)；以及

MOS電容器，與所述第一p-n結(jié)二極管和所述第二p-n結(jié)二極管相鄰，所述MOS電容器具有：

電容器接觸件，與所述第一p-n結(jié)二極管和所述第二p-n結(jié)二極管中的每一個(gè)的所述二極管接觸件連接，并且，自頂向下看，所述電容器接觸件包括至少一個(gè)位于所述第二注入?yún)^(qū)之外的接觸件圖案，以及

塊狀接觸件，在第一注入?yún)^(qū)上并且靠近至少所述二極管之一。

8.如權(quán)利要求7所述的去耦電容器，其中：

所述第一注入?yún)^(qū)具有第一摻雜劑類(lèi)型的摻雜劑類(lèi)型；以及

所述第二注入?yún)^(qū)具有與所述第一摻雜劑類(lèi)型相反的第二摻雜劑類(lèi)型，并且所述第二注入?yún)^(qū)在具有與所述第一摻雜劑類(lèi)型不同的摻雜劑類(lèi)型的阱內(nèi)。

9.如權(quán)利要求7所述的去耦電容器，其中：

所述去耦電容器被包括在具有柵電極層的集成電路中，以及

所述電容器接觸件，通過(guò)直接形成在所述柵電極層上或者形成為低于所述柵電極層的頂面高度的一個(gè)或者多個(gè)接觸件層圖案連接至所述二極管接觸件。

10.如權(quán)利要求9所述的去耦電容器，其中：

所述一個(gè)或者多個(gè)接觸件層圖案包括矩形圖案，所述矩形圖案具有形成為與所述第一p-n結(jié)二極管和所述第二p-n結(jié)二極管接觸的第一邊和第二邊。

11.如權(quán)利要求10所述的去耦電容器，其中：

所述矩形圖案包括與所述第一p-n結(jié)二極管和所述第二p-n結(jié)二極管的注入?yún)^(qū)直接接觸的第三邊和第四邊。

12.一種制造電容器的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底的表面中的第一摻雜劑類(lèi)型的第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)之上及它們之間形成絕緣層和電極；

在所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)上形成導(dǎo)電的接觸結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電的接觸結(jié)構(gòu)具有覆蓋在部分所述電極上的附加部分，其中，自頂向下看所述附加部分位于所述第一注入?yún)^(qū)和所述第二注入?yún)^(qū)之外；以及

在所述襯底中的第三注入?yún)^(qū)上形成塊狀接觸件，所述第三注入?yún)^(qū)具有與所述第一摻雜劑類(lèi)型不同的摻雜劑類(lèi)型。