[發明專利]一種用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法無效
| 申請號： | 201210208918.6 | 申請日： | 2012-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102709232A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 徐強 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 互連 金屬 硬掩膜層 制備 方法 | ||
1.一種用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法包括：
執行步驟S1：提供襯底，所述襯底用于支撐包括具有所述金屬硬掩膜層的膜系，所述金屬硬掩膜層為氮化鈦薄膜；
執行步驟S2：在所述襯底上沉積膜系的金屬硬掩膜層及所述金屬硬掩膜層之前段工藝膜層；
執行步驟S3：對所述膜系的金屬硬掩膜層進行熱退火處理；
執行步驟S4：在所述膜系之金屬硬掩膜層上繼續沉積二氧化硅薄膜；
執行步驟S5：在所述二氧化硅薄膜上設置抗反射層，以及光阻層，并進行溝道曝光、溝道；過孔曝光、刻蝕；刻蝕；襯墊開口；籽晶層沉積、銅互連，以及化學機械拋光等工藝實現銅互連。
2.如權利要求1所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述膜系從下向上依次包括第一低介電常數薄膜、含氮的碳化硅薄膜、第二層低介電常數薄膜、二氧化硅薄膜、金屬硬掩膜層，以及二氧化硅薄膜。
3.如權利要求1所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層之前段工藝膜層包括依次沉積第一低介電常數薄膜、含氮的碳化硅薄膜、第二層低介電常數薄膜，以及二氧化硅薄膜。
4.如權利要求1所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層采用MOCVD或PVD或ALD的方法沉積。
5.如權利要求1～4任一權利要求所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的熱退火溫度為300~500℃。
6.如權利要求1～4任一權利要求所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述熱退火時間為60～120s。
7.如權利要求1～4任一權利要求所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述熱退火工藝在N2、H2氛圍下進行。
8.如權利要求1~4任一權利要求所述的用于銅互連的金屬硬掩膜層的制備方法，其特征在于，所述第一低介電常數薄膜為SiCOH，所述含氮的碳化硅薄膜為SiCN，所述第二層低介電常數薄膜為SiCOH，所述二氧化硅薄膜為二氧化硅薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
