[發(fā)明專利]CMP墊清潔裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210208914.8
• 申請(qǐng)日: 2012-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103252721A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳健立;李柏毅;黃循康;楊棋銘;林進(jìn)祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): B24B53/017
• 分類號(hào): B24B53/017
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工具，包括：

工件載具，被配置成容納工件；

拋光墊，位于被配置成繞著旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的滾筒上；以及

修整墊，被配置成修整所述拋光墊的表面以改善拋光性能；

兩相清潔元件，位于所述修整墊的下游和所述工件載具的上游，所述兩相清潔元件包括：

第一清潔元件，被配置成從所述拋光墊的表面去除缺陷；以及

第二清潔元件，被配置成從所述拋光墊的表面去除殘留物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP工具，還包括：

第一流體源，通過(guò)第一導(dǎo)管連接至所述第一清潔元件并且被配置成向所述第一清潔元件提供第一流體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP工具，其中，所述第一清潔元件包括扇型噴嘴布局，所述扇型噴嘴布局在所述拋光墊的表面上方提供均勻的能量分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP工具，其中，所述第一清潔元件包括兆頻超聲波清潔噴射件，所述兆頻超聲波清潔噴射件包括：

兆頻超聲波能量源，被配置成將兆頻超聲波能量傳送至所述第一流體；以及

多個(gè)噴嘴，被配置成對(duì)所述拋光墊的表面施加所述第一流體，其中，所述第一流體利用兆頻超聲波能量來(lái)移出嵌入所述拋光墊的表面中的顆粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP工具，還包括：

第二流體源，通過(guò)第二導(dǎo)管連接至所述第二清潔元件并且被配置成向所述第二清潔元件提供第二流體；以及

第三流體源，通過(guò)第三導(dǎo)管連接至所述第二清潔元件并且被配置成向所述第二清潔元件提供第三流體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMP工具，其中，所述第二清潔元件包括高壓流體噴射件，所述高壓流體噴射件包括多個(gè)噴嘴，所述多個(gè)噴嘴被配置成向所述拋光墊施加包含所述第二流體和所述第三流體的混合物的雙流體霧。

7.一種化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工具，包括：

工件載具，被配置成容納半導(dǎo)體工件；

拋光墊，位于被配置成繞著旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的滾筒上；

修整元件，包括面向所述拋光墊的頂面并且被配置成修整所述拋光墊的頂面以改善機(jī)械拋光性能的金剛石磨粒修整墊；

兆頻超聲波清潔元件，被配置成從所述拋光墊去除缺陷；以及

高壓流體噴射件，被配置成向所述拋光墊的表面施加高壓雙流體霧以去除殘留物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMP工具，還包括：

第一流體源，通過(guò)第一導(dǎo)管連接至所述兆頻超聲波清潔元件并且被配置成向所述兆頻超聲波清潔元件提供第一流體。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMP工具，還包括：

第二流體源，通過(guò)第二導(dǎo)管連接至所述高壓流體噴射件并且被配置成向所述高壓流體噴射件提供第二流體；以及

第三流體源，通過(guò)第三導(dǎo)管連接至所述高壓流體噴射件并且被配置成向所述高壓流體噴射件提供第三流體。

10.一種用于清潔化學(xué)機(jī)械拋光墊的方法，包括：

使工件接觸到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊的表面以對(duì)所述工件實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光；

操作墊修整元件以修整所述化學(xué)機(jī)械拋光墊；

操作第一清潔元件以從所述化學(xué)機(jī)械拋光墊的表面移出缺陷；以及

操作第二清潔元件以從所述化學(xué)機(jī)械拋光墊的表面去除殘留物。