[發明專利]制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法

無效

• 申請號: 201210208853.5
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102694093A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 汪煉成;馬駿;劉志強;伊曉燕;王國宏
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，包括：

步驟1：選擇一外延結構，該外延結構包括藍寶石襯底和氮化鎵LED層，氮化鎵LED層包括非故意摻雜氮化鎵層，N型氮化鎵層，量子阱層和p型氮化鎵層；

步驟2：在外延結構表面的p型氮化鎵層上沉積金屬層；

步驟3：將外延結構和金屬層轉移到襯底上，形成基片；

步驟4：用激光剝離方法，將外延結構中的藍寶石襯底從外延結構中分離；

步驟5：將基片放入溶液99中進行腐蝕，在外延結構的氮化鎵LED層的非故意摻雜氮化鎵層一面形成分立的微納金字塔結構；

步驟6：將硅膠涂覆在微納金字塔結構的表面；

步驟7：用等離子體技術，將微納金字塔結構尖端部分的硅膠去除，保留微納金字塔結構底部的硅膠；

步驟8：在微納金字塔結構的表面沉積透明導電層；

步驟9：在透明導電層上通過光刻方法沉積圖形金屬電極，完成制備。

2.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的金屬層包括：Au、Sn、AuSn合金、Ni、Ag或Pt，或及其組合。

3.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的襯底包括：Si、Cu、W、Ni或CuW，或及其組合。

4.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的溶液99為：KOH溶液或H₃PO₄溶液。

5.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的硅膠為：A膠、B膠或AB混合膠，涂覆硅膠的方法包括旋涂或噴涂。

6.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的等離子體是采用O₂等離子體或N₂等離子體，等離子體處理時間為1-20分鐘，等離子體功率為10W-200W。

7.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的透明導電層為：ZnO、ITO或石墨烯。

8.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中所述的金屬層為：Ni、Ag、Pt、Au、Al或Ti，或及其組合。

9.根據權利要求1所述的制作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極管陣列的方法，其中微納金字塔結構的腐蝕深度到達金屬層的表面。