[發明專利]固體攝像裝置、固體攝像裝置的制造方法和電子設備

有效

• 申請號: 201210208338.7
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102856334A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 小林実希子;河相勲
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像裝置，所述固體攝像裝置包括傳輸柵極電極和光電轉換部，

所述傳輸柵極電極形成在半導體基板上；

所述光電轉換部包括：

電荷存儲區域，所述電荷存儲區域在深度方向上是從所述半導體基板的表面側形成的，所述電荷存儲區域由第一導電型雜質區域形成，所述第一導電型雜質區域被形成為與所述傳輸柵極電極部分地重疊，

傳輸輔助區域，所述傳輸輔助區域由第二導電型雜質區域形成，所述第二導電型雜質區域被形成為與所述傳輸柵極電極部分地重疊，并且所述傳輸輔助區域被形成在所述電荷存儲區域的上層中，以及

暗電流抑制區域，所述暗電流抑制區域是形成在所述傳輸輔助區域的上層中的第一暗電流抑制區域，并且所述第一暗電流抑制區域被形成為以如下方式位置對齊：所述第一暗電流抑制區域在所述傳輸柵極電極側的端部與所述傳輸輔助區域的位于所述傳輸柵極電極側的端部處于相同位置，所述暗電流抑制區域是由與所述傳輸輔助區域相同導電型的雜質區域形成的，并且所述暗電流抑制區域是由濃度高于所述傳輸輔助區域的濃度的雜質區域形成的。

2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

所述光電轉換部包括最外層表面暗電流抑制區域，所述最外層表面暗電流抑制區域形成在所述半導體基板的位于所述傳輸輔助區域的上層中的最外層表面并且未延伸至所述傳輸柵極電極的下方，所述最外層表面暗電流抑制區域是由導電型與所述暗電流抑制區域的導電型相同的雜質區域形成的并且是由濃度高于所述暗電流抑制區域的濃度的雜質區域形成的。

3.根據權利要求2所述的固體攝像裝置，還包括在所述半導體基板的表面側的讀取區域，從所述光電轉換部傳輸而來的信號電荷從所述讀取區域被讀取，

其中，所述暗電流抑制區域和所述傳輸輔助區域在所述讀取區域側與所述傳輸柵極電極的重疊量形成為比所述電荷存儲區域與所述傳輸柵極電極的重疊量大。

4.根據權利要求3所述的固體攝像裝置，其中，

所述傳輸柵極電極在側表面上包括側壁，并且

其中，所述最外層表面暗電流抑制區域被形成為重疊在所述側壁下方。

5.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，所述電荷存儲區域的位于所述傳輸柵極電極側的端部被設定在與所述暗電流抑制區域和所述傳輸輔助區域的位于所述傳輸柵極電極側的端部大致相同的位置。

6.一種固體攝像裝置的制造方法，所述制造方法包括形成光電轉換部的過程和形成傳輸柵極電極的過程，

所述形成光電轉換部的過程包括如下步驟：

通過從半導體基板的表面側在深度方面上離子注入第一導電型雜質形成電荷存儲區域，

通過在所述電荷存儲區域的上層中離子注入第二導電型雜質形成傳輸輔助區域，并且

借助用于形成所述傳輸輔助區域時的掩模在所述傳輸輔助區域的上層中離子注入濃度高于所述傳輸輔助區域的濃度的第二導電型雜質，從而形成暗電流抑制區域；

所述形成傳輸柵極電極的過程包括如下步驟：

在所述半導體基板上形成與所述電荷存儲區域、所述傳輸輔助區域和所述暗電流抑制區域部分地重疊的傳輸柵極電極。

7.根據權利要求6所述的制造方法，在形成所述傳輸柵極電極的步驟之后，還包括步驟：

在所述半導體基板的所述暗電流抑制區域的上層中的最外層表面，通過離子注入濃度高于所述暗電流抑制區域的濃度的第二導電型的雜質形成最外層表面暗電流抑制區域。

8.根據權利要求7所述的制造方法，在形成所述傳輸柵極電極的步驟之后，還包括步驟：

在所述半導體基板的所述表面側形成讀取區域，所述讀取區域讀取從所述光電轉換部傳輸而來的信號電荷。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其中，

所述暗電流抑制區域和所述傳輸輔助區域在所述讀取區域側與所述傳輸柵極電極的重疊量形成為比所述電荷存儲區域與所述傳輸柵極電極的重疊量大。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中，所述最外層表面暗電流抑制區域是通過利用所述傳輸柵極電極作為掩模的自對準形成的。

11.根據權利要求9所述的制造方法，還包括：在形成所述傳輸柵極電極之后，在所述傳輸柵極電極的側表面上形成側壁，其中，所述最外層表面暗電流抑制區域是通過利用所述側壁作為掩模的自對準形成的。