[發(fā)明專利]高電容單層電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210208320.7 | 申請日: | 2012-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN102842422A | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 阿里·穆阿利米;尤安·帕特里克·阿姆斯特朗 | 申請(專利權(quán))人: | 特拉華資本構(gòu)造公司 |
| 主分類號: | H01G4/00 | 分類號: | H01G4/00;H01G4/005;H01G4/228 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱勝;李春暉 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 單層 電容器 | ||
1.一種高電容單層陶瓷電容器,包括:陶瓷介電體,具有至少一個內(nèi)部電極,所述至少一個內(nèi)部電極延伸穿過所述陶瓷介電體的寬度的一部分并與導電金屬化層電接觸,所述導電金屬化層位于所述陶瓷體的一個側(cè)面和頂面或底面中的至少一部分上;以及至少一個電隔離的金屬化焊盤,位于所述陶瓷體的相對的頂面或底面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器,還具有在所述陶瓷體內(nèi)隔開的兩個或更多個電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器,其中,在所述電容器的頂面或底面上存在彼此電隔離的多個金屬化焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容器,其中,所述金屬化焊盤具有不同尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器,其中,所述陶瓷體具有堡體,所述堡體具有沿著側(cè)表面的金屬化層以與又一電極電連接。
6.一種高電容單層陶瓷電容器,包括:陶瓷介電體,具有至少一個內(nèi)部電極,所述至少一個內(nèi)部電極延伸穿過所述陶瓷介電體的寬度的一部分并與導電金屬化層電接觸,所述導電金屬化層位于所述陶瓷體的一個側(cè)面和頂面或底面中的至少一部分上;以及位于所述頂面或底面上的又一電隔離的金屬化焊盤,其與所述電極電接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器,還具有在所述陶瓷體內(nèi)隔開的兩個或更多個電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器,其中,所述陶瓷體具有堡體,所述堡體具有沿著側(cè)表面的金屬化層以與又一電極電連接。
9.一種高電容單層陶瓷電容器,包括:陶瓷介電體,具有至少一個內(nèi)部電極,所述至少一個內(nèi)部電極延伸穿過所述陶瓷介電體的寬度的一部分并通過通孔與位于所述陶瓷體的頂面或底面上的導電金屬化層電接觸,所述通孔包括延伸穿過所述陶瓷體的整個高度并與所述頂面或底面電連通的金屬化層;以及又一電隔離的金屬化焊盤,位于相對的頂面或底面。
10.一種高電容單層陶瓷電容器,包括:陶瓷介電體,具有至少兩個內(nèi)部電極,所述至少兩個內(nèi)部電極延伸穿過所述陶瓷體的整個寬度并被具有已知厚度的介電材料層分離,每個內(nèi)部電極均與單獨的導電金屬化層電連通,所述導電金屬化層位于所述陶瓷體的至少一個側(cè)面和頂面或底面中的至少一部分上,所述導電金屬化層被電絕緣帶分離,所述電絕緣帶圍繞所述陶瓷體的側(cè)表面延伸且部分地延伸進所述電極之間的介電層中。
11.一種制造高電容單層陶瓷電容器的方法,包括如下步驟:
在坯體狀態(tài)的陶瓷介電片的層之間放置一個或多個電極;
在所述坯體狀態(tài)的陶瓷片上印刷頂部金屬化層和底部金屬化層;
將所述坯體狀態(tài)的陶瓷介電片切割成獨立的陶瓷芯片;
燒制所述芯片以將所述介電片的層和所述電極與所述頂部金屬化層和所述底部金屬化層燒結(jié)在一起;
用導電膠金屬化所述芯片的一個或多個側(cè)面;
固化所述導電膠。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,固化所述導電膠的步驟是通過燒制來進行的,并且所述方法還包括對所有金屬化表面進行電鍍的步驟。
13.一種制造高電容單層陶瓷電容器的方法,包括如下步驟:
在坯體狀態(tài)的陶瓷介電片的層之間放置一個或多個電極;
在所述坯體狀態(tài)的陶瓷片上印刷頂部金屬化層和底部金屬化層;
將所述坯體狀態(tài)的陶瓷介電片切割成獨立的陶瓷芯片;
在所述坯體狀態(tài)的陶瓷芯片的至少一個側(cè)面上印刷金屬化層;以及
燒制所述芯片以將所述介電片的層和所述電極與所述金屬化層燒結(jié)在一起。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,還包括對所有金屬化表面進行電鍍的步驟。
15.一種制造高電容單層陶瓷電容器的方法,包括如下步驟:
在坯體狀態(tài)的陶瓷介電片的層之間放置一個或多個電極;
在所述坯體狀態(tài)的陶瓷片上印刷頂部金屬化層和底部金屬化層;
燒制所述坯體狀態(tài)的陶瓷片以將所述介電片的層和所述電極與所述金屬化層燒結(jié)在一起;
在所燒制的陶瓷片的表面上印刷抗蝕層或掩膜;
切割所燒制的陶瓷片以創(chuàng)建獨立的芯片;以及
優(yōu)先對所述陶瓷芯片進行電鍍或涂覆,其可包括或者可不包括去除所述抗蝕層或掩膜的步驟。
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