[發明專利]氧化鋅錫薄膜及制備方法、薄膜晶體管及制備方法

有效

• 申請號: 201210207834.0
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN103510086A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 邱勇;趙云龍;段煉
• 申請（專利權）人: 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: C23C26/00
• 分類號: C23C26/00;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括以下步驟：

（1）制備前驅體溶液

將鋅的前驅體材料、錫的前驅體材料2-乙基己酸亞錫C₁₆H₃₀O₄Sn、助溶劑溶解于溶劑中，充分攪拌使其充分溶解，得到前驅體溶液；

（2）制備薄膜

將步驟（1）制備的前驅體溶液在無定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜；

（3）熱處理

將步驟（2）形成的所述薄膜經熱處理程序得到氧化物半導體薄膜，所述的熱處理程序采用20至80℃/min的升溫速率從起始溫度上升到預設溫度，并恒溫處理，得到氧化鋅錫薄膜。

2.根據權利要求1所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述鋅的前驅體材料選自以下物質的一種或若干種：醋酸鋅Zn（OOCCH₃）₂、硝酸鋅Zn(NO₃)₂、氯化鋅ZnCl₂。

3.根據權利要求1或2所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述助溶劑選自以下物質的一種或若干種：乙醇胺H₂NCH₂CH₂OH、二乙醇胺HN(CH₂CH₂OH)₂、三乙醇胺N(CH₂CH₂OH)₃。

4.根據權利要求1至3任一所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述溶劑選自以下物質的一種或若干種：乙二醇單甲醚CH₃OCH₂CH₂OH、丙二醇單甲醚CH₃OCH₂CH₂CH₂OH、丁二醇單甲醚CH₃OCH₂CH₂CH₂CH₂OH。

5.根據權利要求1至4任一所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述起始溫度為室溫~200℃。

6.根據權利要求1至5任一所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述預設溫度為400~500℃，所述恒溫處理的時間為20min以上。

7.根據權利要求1至6任一所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述鋅的前驅體材料、2-乙基己酸亞錫、助溶劑的摩爾比為1:1:3~1:1：7。

8.根據權利要求1至7任一所述的氧化鋅錫的制備方法，其特征在于：所述鋅的前驅體材料和2-乙基己酸亞錫的總摩爾濃度為0.3~0.5mol/L。

9.權利要求1至8任一所述的制備方法制備的氧化鋅錫薄膜。

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用權利要求9所述氧化物半導體薄膜作為半導體層。

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用底接觸式晶體管結構。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用氧化鋁作為柵介質層。

13.根據權利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用頂接觸式晶體管結構，所述薄膜晶體管采用氧化鋁作為柵介質層。

14.權利要求10所述的薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟：

第一步：對ITO導電玻璃進行刻蝕、超聲清洗、烘干；

第二步：在進行第一步處理后的ITO導電玻璃上制備柵介質層或者按照權利要求1-8任一所述的制備方法制備ZTO半導體層；

第三步：按照權利要求1-8任一所述制備方法在所述柵介質層上制備ZTO半導體層或者在所述ZTO半導體層上制備柵介質層；

第四步：在所述ZTO半導體層上制備源、漏電極或者在所述柵介質層上制備柵電極，之后封裝得到薄膜晶體管。