[發明專利]采用共形摻雜的圖像傳感器溝槽隔離

有效

• 申請號: 201210207827.0
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103094290A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 賴志育;杜友倫;黃志輝;吳政達;蔡嘉雄;陳昆侖
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體圖像傳感器器件，包括：

襯底；

第一像素和第二像素，設置在所述襯底中，所述第一像素和所述第二像素是相鄰像素；

隔離結構，設置在所述襯底中以及所述第一像素和所述第二像素之間；以及

摻雜隔離器件，設置在所述襯底中以及所述第一像素和所述第二像素之間，其中，所述摻雜隔離器件以共形方式圍繞所述隔離結構。

2.根據權利要求1所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述第一像素和所述第二像素均包括摻雜輻射感應區。

3.根據權利要求2所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述摻雜隔離器件和所述摻雜輻射感應區具有不同的摻雜極性。

4.根據權利要求1所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述第一像素的深度和所述第二像素的深度小于所述隔離結構的深度。

5.根據權利要求1所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述隔離結構包含介電材料。

6.根據權利要求1所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述隔離結構包括深溝槽隔離(DTI)器件。

7.根據權利要求1所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述半導體圖像傳感器器件是背照式(BSI)圖像傳感器器件。

8.根據權利要求1所述的半導體圖像傳感器器件，其中，所述半導體圖像傳感器器件是前照式(FSI)圖像傳感器器件。

9.一種半導體圖像傳感器器件，包括：

襯底；

多個輻射感應區，形成于所述襯底中，所述輻射感應區具有第一摻雜極性；

多個深溝槽隔離(DTI)器件，形成在所述襯底中，其中，每對相鄰的輻射感應區均通過相應的所述DTI器件之一相互分隔開；以及

多個摻雜區，形成在所述襯底中，并且具有與所述第一摻雜極性相反的第二摻雜極性，其中，每個DTI器件均以共形方式被相應的所述摻雜區之一圍繞。

10.一種制造半導體圖像傳感器器件的方法，包括：

在半導體襯底中形成開口；

在所述襯底中采用固相摻雜工藝和氣相摻雜工藝之一形成摻雜區，其中，以共形方式形成圍繞所述開口的所述摻雜區；

用介電材料填充所述開口；以及

在所述襯底中形成第一輻射感應區和第二輻射感應區，其中，在所述開口的相對側上形成所述第一輻射感應區和所述第二輻射感應區。