[發(fā)明專利]等離子體輔助的沉積方法和用于執(zhí)行該方法的設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210207764.9
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102864438A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 阿克塞爾·施瓦百迪森;安德莉亞斯·艾夫勒;尤爾根·席爾巴赫
• 申請（專利權(quán)）人: Q-電池公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 陳酩;翟羽

1.一種等離子體輔助的沉積方法，用于將至少一個介電質(zhì)層沉積在一個含硅的基片（3）上，該方法具有以下步驟：

向一個沉積設備（1）中供應至少一種適合用于產(chǎn)生該介電質(zhì)層的氣體；

在至少一個第一波長或譜帶上監(jiān)測該氣體的、在該沉積設備（1）中產(chǎn)生的發(fā)射強度；

取決于在該至少一個第一波長或譜帶上監(jiān)測的發(fā)射強度，產(chǎn)生一個信號；

將該信號傳輸給至少一個控制裝置（4，10）；

取決于該信號，通過該控制裝置（4，10）來控制至少一個影響該沉積的過程參數(shù)和/或該基片（3）到該沉積設備（1）中的供應。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當該信號低于或高于一個預定的閾值時，控制該至少一個過程參數(shù)和/或該基片（3）向該沉積設備中的供應。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該預定的閾值形成了與一個預定的發(fā)射強度相比約至少10%的偏離。

4.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，

在至少一個第二波長或譜帶上監(jiān)測在該沉積設備（1）中產(chǎn)生的發(fā)射強度；并且

取決于在該至少一個第一波長或譜帶以及該至少一個第二波長或譜帶上所監(jiān)測到的發(fā)射強度來產(chǎn)生該信號。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該至少一個第二波長或譜帶具有與該至少一個第一波長或譜帶最大200mm的間距。

6.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，在取決于所監(jiān)測到的發(fā)射強度來產(chǎn)生該信號時，由所監(jiān)測到的這些發(fā)射強度形成了一個商。

7.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，

當該信號低于或高于該預定的閾值時，通過該控制裝置（4，10）來停止該介電質(zhì)層在該基片（3）上的沉積和/或該基片（3）向該沉積設備（1）中的輸送。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

在通過該控制裝置（4，10）進行的停止之后，調(diào)節(jié)該至少一個過程參數(shù)；

繼續(xù)在基片（3）上沉積該介電質(zhì)層和/或向該沉積設備（1）中供應該基片（3）；

在至少一個第一波長或譜帶上監(jiān)測在該沉積設備（1）中產(chǎn)生的發(fā)射強度；

取決于所監(jiān)測到的發(fā)射強度來產(chǎn)生一個信號；

將該信號傳輸給至少一個控制裝置（4，10）；

取決于該信號，通過該控制裝置（4，10）來控制至少一個影響該沉積的過程參數(shù)和/或該基片（3）向該沉積設備（1）中的供應。

9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，

在通過該控制裝置（4，10）進行停止時，輸出一個警告信號。

10.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，至少一個介電質(zhì)層在該基片（3）上的沉積包括沉積多個層，并且該至少一個第一波長或譜帶、該任選的預定閾值和該任選的至少一個第二波長或譜帶分別是依賴于有待沉積的層而選擇的。

11.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，該控制至少一個過程參數(shù)的步驟包括控制一種成層前體向該沉積設備中的供應。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該前體是三甲基鋁，并且該處理氣體是氧氣或者一種含氧的分子氣體；和/或該前體是硅烷，并且該處理氣體是氨或者一種由氮氣和氫氣組成的混合物。

13.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，該至少一個第一波長或譜帶是巴耳末系列的氫譜線H-α（656.3nm）或者巴耳末系列的氫譜線H-β（486.1nm）或者在777nm的氧譜線O（2s²2p³(⁴S⁰)3s->2s²2p³(⁴S⁰)3p）。

14.一種太陽能電池生產(chǎn)方法，該方法具有如以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子體輔助的沉積方法。

15.一種適合用于在含硅基片（3）上沉積至少一個介電質(zhì)層的設備，該設備包括：

一個用于沉積至少一個層的沉積設備（1）；

至少一個供應裝置（11，12），用于供應至少一種適合于產(chǎn)生該介電質(zhì)層的氣體；

一個用于供應該基片（3）的移動裝置；

一個監(jiān)測裝置，用于在至少一個第一波長或譜帶上監(jiān)測在該沉積設備（1）中產(chǎn)生的發(fā)射強度；

用于取決于在至少一個第一波長或譜帶上監(jiān)測到的發(fā)射強度來產(chǎn)生一個信號的一個裝置（9）；以及

至少一個控制裝置（4，10），用于控制至少一個影響該沉積作用的過程參數(shù)和/或控制該基片（3）對該沉積設備（1）的加載。