[發(fā)明專利]光纖熔接盤組件及光纖熔接裝置

無效

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• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102707383A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷宇曉;楊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02B6/255
• 分類號: G02B6/255
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種光纖熔接裝置，其特征在于，包括熔接盤組件；所述熔接盤組件具有用于容置光纖的腔體，所述熔接盤組件上開設(shè)有進纖口和出纖口，所述進纖口、出纖口均連通于所述腔體。

2.如權(quán)利要求1所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述熔接盤組件包括熔接盤體和蓋板，所述蓋板連接于所述熔接盤體，所述熔接盤體包括底板與凸設(shè)于所述底板的側(cè)壁，所述進纖口與出纖口均開設(shè)于所述側(cè)壁上。

3.如權(quán)利要求1所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述熔接盤組件縱向設(shè)置，且所述光纖熔接裝置在橫向方向上疊加有至少一個所述的熔接盤組件。

4.如權(quán)利要求1所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述熔接盤組件的側(cè)面固定設(shè)置有把手部。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述光纖熔接裝置還包括支架，所述熔接盤組件卡設(shè)于所述支架上。

6.如權(quán)利要求5所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述熔接盤組件與所述支架之間設(shè)置有導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)包括固定設(shè)置于所述熔接盤組件兩側(cè)的導(dǎo)向條和設(shè)置于所述支架上的導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌上開設(shè)有與所述導(dǎo)向條相匹配的凹槽，所述導(dǎo)向條滑動卡設(shè)于所述凹槽內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述支架包括上層板和下層板，所述導(dǎo)軌成對設(shè)置并相對固定連接于所述上層板與下層板。

9.如權(quán)利要求7所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述凹槽與所述導(dǎo)向條之間設(shè)置有彈性限位結(jié)構(gòu)；所述彈性限位結(jié)構(gòu)包括開設(shè)于所述導(dǎo)向條側(cè)壁的限位凹陷以及設(shè)置于所述凹槽側(cè)面且可彈性卡入所述限位凹陷內(nèi)的彈性卡止部。

10.如權(quán)利要求9所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述限位凹陷設(shè)置有至少兩組，且所述至少兩組限位凹陷沿導(dǎo)向條的長度方向間距設(shè)置。

11.如權(quán)利要求2至4中任一項所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述熔接盤體內(nèi)設(shè)置有熔接區(qū)域和盤纖區(qū)域，所述熔接區(qū)域上設(shè)置有至少兩個相隔設(shè)置的隔纖片；所述盤纖區(qū)域上設(shè)置有至少兩片相距設(shè)置的繞纖片。

12.如權(quán)利要求7所述的光纖熔接裝置，其特征在于，所述導(dǎo)軌通過卡槽結(jié)構(gòu)卡接于所述支架上。

13.一種光纖熔接盤組件，其特征在于，包括用于容置光纖的腔體，所述熔接盤組件開設(shè)有進纖口和出纖口，所述進纖口、出纖口均連通于所述腔體，套設(shè)有裸纖保護套的光纖通過所述進纖口和出纖口伸入所述腔體，并在所述腔體內(nèi)部進行光纖熔接。

14.如權(quán)利要求13所述的光纖熔接盤組件，其特征在于，還包括熔接盤體和蓋板，所述蓋板連接于所述熔接盤體，所述熔接盤體包括底板與凸設(shè)于所述底板的側(cè)壁，所述進纖口與出纖口均開設(shè)于所述側(cè)壁上。

15.如權(quán)利要求13所述的光纖熔接盤組件，其特征在于，所述熔接盤組件的側(cè)面固定設(shè)置有把手部。

16.如權(quán)利要求14所述的光纖熔接盤組件，其特征在于，所述熔接盤組件包括導(dǎo)向條，所述導(dǎo)向條設(shè)置在所述熔接盤體的兩側(cè)，用于將所述熔解盤組件滑移進設(shè)置有導(dǎo)軌的外部支架。

17.如權(quán)利要求16所述的光纖熔接盤組件，其特征在于，所述導(dǎo)向條包括限位凹陷，所述限位凹陷設(shè)置在所述導(dǎo)向條側(cè)壁，用于在所述光纖熔解盤組件滑移進所述外部支架的導(dǎo)軌時與所述導(dǎo)軌的彈性卡止部相互配合來固定所述光纖熔解盤組件。

18.如權(quán)利要求14至17中任一項所述的光纖熔接盤組件，其特征在于，所述熔接盤體內(nèi)設(shè)置有熔接區(qū)域和盤纖區(qū)域，所述熔接區(qū)域上設(shè)置有至少兩個相隔設(shè)置的隔纖片；所述盤纖區(qū)域上設(shè)置有至少兩片相距設(shè)置的繞纖片。