[發(fā)明專利]制造應(yīng)用于發(fā)光晶片的陶瓷封裝基板

無效

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• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN103515487A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖世文
• 申請（專利權(quán)）人: 位速科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214
• 代理人: 艾晶;周春發(fā)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)一種陶瓷封裝基板，特別是指一種可制得具有良好散熱效率，且制程較為簡便，并可應(yīng)用于發(fā)光晶片的陶瓷封裝基板的制造方法。

背景技術(shù)

一直以來，都有將發(fā)光二極管安裝于印刷電路板(PCB)的照明等的開發(fā)。尤其，近年以來，有輸出大，亮度高的照明等的需要；隨著高功率發(fā)光二極管需求逐漸增加，造成散熱基板所要承載的熱量大幅提升，使得散熱基板從舊有印刷電路板提升為金屬核心印刷電路板(MCPCB)，然而，在更高功率發(fā)光二極管的大量使用下，因?yàn)榻饘俸诵挠∷㈦娐钒寤宓慕殡妼优c基板熱膨脹系數(shù)不匹配而導(dǎo)致板爆及斷路，而且其存在不抗高AC電壓的問題，近期乃逐漸改采用陶瓷做為散熱材料。

當(dāng)利用一般線路化制程施作于陶瓷基板時(shí)，于陶瓷基板的表面布滿了許多大小口徑不同的貫穿孔，尤其是應(yīng)用發(fā)光二極管的陶瓷基板，其具有高深寬比的貫穿孔(貫穿孔的深度或長度與寬度或直徑的比例)，這些貫穿孔在進(jìn)行濺鍍時(shí)，常常無法使得陶瓷基板的表面能夠完全的導(dǎo)通，而且在電鍍的過程中則常會(huì)因?yàn)樗纬傻臍饪谆蚴菤馀?，而終致影響線路的形成。

如中國臺(tái)灣專利公告號(hào)第540279號(hào)，專利名稱“在陶瓷基板制作小孔徑鍍銅貫穿孔的方法”，其主要于一基板上先進(jìn)行鑿孔、穿孔電連接等先前處理步驟后，于基板表面以濺鍍方式依序形成鈦層及銅層，爾后再行實(shí)施一電鍍化學(xué)銅的過程，并于貼上干膜后而進(jìn)行曝光、顯影等步驟，隨后于線路圖案上鍍銅以形成銅線路，完成后即剝離干膜，再依序于銅線路上鍍鎳及鍍金，即完成金屬化制程。

該種習(xí)有制程雖可使線路細(xì)直、且兼具理想導(dǎo)熱效果等優(yōu)點(diǎn)，而小口徑貫穿孔的無法導(dǎo)通的問題，亦可藉由電鍍化學(xué)銅的步驟而予以完全的使的導(dǎo)通；惟，其制程較為繁雜，需要“濺鍍”、“無電鍍化學(xué)銅”以及“電鍍鍍銅”等三道鍍膜步驟才能完成。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明即在提供一種可制得具有良好散熱效率，且制程較完簡便，并可應(yīng)用于發(fā)光晶片的陶瓷封裝基板的制造方法，為其主要目的者。

為達(dá)上揭目的，本發(fā)明中制造應(yīng)用于發(fā)光晶片的陶瓷封裝基板，于該陶瓷封裝基板形成深寬比為4/1~10/1的穿孔，再以陰極電弧蒸鍍方式于該陶瓷封裝基板表面以及穿孔的壁面形成具導(dǎo)電作用的第一導(dǎo)電層；再經(jīng)光阻、曝光、顯影等制程形成圖案化干膜光阻；然后經(jīng)電鍍鍍膜步驟于未有光阻覆蓋的第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層及填孔；接著，去除干膜光阻，最后在蝕刻而形成線路層，以完成陶瓷封裝基板的線路化，而可直接供發(fā)光晶片封裝使用。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，于該電鍍鍍膜步驟后進(jìn)一步包含有鍍反射膜步驟，于該線路層表面鍍有反射膜。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，于該蝕刻步驟進(jìn)一步包含有設(shè)置絕緣層步驟，于該陶瓷封裝基板表面形成有絕緣層。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，所述的第一導(dǎo)電層與該陶瓷封裝基板之間可進(jìn)一步設(shè)有一層中介層，而該中介層可以為鈦、鉻、鎳、銅，或上述組合的合金。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，所述的第一導(dǎo)電層可以為銅、鈦/銅合金、鉻/銅合金、鎳/銅合金，或上述組合的合金。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，可依照第二導(dǎo)電層厚度的要求，選擇相對應(yīng)干膜光阻的厚度。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，所述的剝膜步驟使用強(qiáng)堿型溶液藥劑藉水平式去膜線或浸泡式去膜槽進(jìn)行去膜。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，所述的蝕刻步驟以濕蝕刻藉由強(qiáng)酸型或強(qiáng)堿型藥劑移除該第一導(dǎo)電層及中介層。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，于該蝕刻步驟進(jìn)一步包含有表面改質(zhì)步驟，其在線路層上鍍上鋁、銀、金、鎳金或鎳鈀金的金屬層，以提高表面焊錫強(qiáng)度及打線強(qiáng)度，進(jìn)而增加產(chǎn)品的穩(wěn)定性與提高表面的反射率。

依據(jù)上述主要結(jié)構(gòu)特征，所述的穿孔的深寬比以4/1~8/1為佳。

具體而言，本發(fā)明的制造方法可以產(chǎn)生下列功效。

1.?解決一般用濺鍍方式鍍膜時(shí)，若需鍍成預(yù)定厚度時(shí)，其制程時(shí)間較長的問題，藉由本發(fā)明的陰極電弧蒸鍍方式可降低制程時(shí)間。

2.?本發(fā)明可應(yīng)用于小孔徑，提升雷射穿孔效率。

3.?于電鍍鍍膜步驟時(shí)，不需要厚的鍍膜厚度，降低電鍍鍍膜的時(shí)間。

4.?不需使用無電鍍化學(xué)鍍膜的制程。

附圖說明

圖1為本發(fā)明中制造方法的第一實(shí)施例流程示意圖。

圖2A~G為本發(fā)明中制造方法的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明中制造方法的第二實(shí)施例流程示意圖。

圖4為本發(fā)明中制造方法的第三實(shí)施例流程示意圖。

圖5為本發(fā)明中制造方法的第四實(shí)施例流程示意圖。