[發明專利]TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法

無效

• 申請號: 201210206659.3
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102703954A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 段小明;周睿;賈德昌;王亞明;楊治華;張崢
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法按以下步驟進行：

一、將TiC顆粒增強鈦基復合材料放入電解液中，以TiC顆粒增強鈦基復合材料為正極、鐵板為負極，控制電解液溫度為10～60℃，采用雙向脈沖電源，在正脈沖電壓為200～800V、負脈沖電壓為0～400V、正脈沖工作頻率為200～2000Hz、負脈沖工作頻率為200～2000Hz、占空比為4～20％的條件下，處理3～30min；

二、將經過步驟一處理的TiC顆粒增強鈦基復合材料沖洗3～5次，干燥，即得微弧氧化陶瓷層TiC顆粒增強鈦基復合材料；

步驟一中所述電解液由硅酸鈉、鋁酸鈉、磷酸鈉、乙醇和去離子水組成，電解液中硅酸鈉濃度為3～35g/L，鋁酸鈉濃度為3～60g/L，磷酸鈉濃度為3～40g/L，乙醇濃度為5～20ml/L。

2.根據權利要求1所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述TiC顆粒增強鈦基復合材料中作為增強相的TiC顆粒為用微米級或納米級，TiC顆粒增強鈦基復合材料中的基體為鈦、TC3鈦合金或TC4鈦合金，TiC顆粒增強鈦基復合材料中TiC的體積含量為3％～20％。

3.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述正脈沖電壓為300～700V。

4.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述正脈沖電壓為500～600V。

5.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述負脈沖電壓為0～300V。

6.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述負脈沖電壓為200V。

7.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述正脈沖工作頻率為400～1200Hz。

8.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述負脈沖工作頻率為1000Hz。

9.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟一中所述占空比為4～16％。

10.根據權利要求1或2所述TiC顆粒增強鈦基復合材料表面微弧氧化陶瓷層的制備方法，其特征在于步驟二中所述干燥的溫度為40～80℃。