[發明專利]超級結MOSFET的元胞結構

無效

• 申請號: 201210206616.5
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN103035714A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 胡曉明
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種超級結MOSFET的元胞結構，其特征在于，該結構包括襯底重摻雜區及第一外延漂移區和第二外延漂移區，其中：

襯底重摻雜區之上是第一外延漂移區，第二外延漂移區位于最上層；

位于第二外延漂移區中水平排布的兩個半絕緣柱區；

在所述半絕緣柱區之間具有一柵極溝槽；

所述溝槽內底部是浮空柵，浮空柵上為柵極導電多晶硅，所述柵極溝槽內壁與浮空柵和柵極導電多晶硅之間有柵氧化膜；

在所述柵極溝槽左右兩側與半絕緣柱區之間的區域形成兩阱區，阱區上部為源區；

一接觸孔將源區和阱區連通引出連接電位。

2.如權利要求1所述的超級結MOSFET的元胞結構，其特征在于，所述第一外延漂移區的體濃度高于第二外延漂移區的體濃度。

3.如權利要求1所述的超級結MOSFET的元胞結構，其特征在于，所述半絕緣柱區是單一材料，或者是半導體絕緣材料和絕緣材料的復合結構。

4.如權利要求2所述的超級結MOSFET的元胞結構，其特征在于，半絕緣柱區是半導體絕緣材料和絕緣材料的復合結構時，半導體絕緣材料位于靠外延漂移區的一側。

5.如權利要求1所述的超級結MOSFET的元胞結構，其特征在于，所述浮空柵由多晶硅或者金屬材質形成。

6.如權利要求1所述的超級結MOSFET的元胞結構，其特征在于，所述接觸孔能穿透源區直接與阱區接觸，使阱區和源區共用一接觸孔；或者是停止在源區，通過額外的P型孔注入，形成與阱區的接觸。