[發明專利]一種鰭式場效應晶體管及其形成方法

無效

• 申請號: 201210206531.7
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN103515282A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 韓秋華;三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

通過刻蝕工藝在所述襯底上形成多個第一鰭式結構，相鄰兩個第一鰭式結構之間為隔離溝道；

在所述隔離溝道內填充氧化層并刻蝕，形成淺溝道隔離，所述淺溝道隔離的側壁具有傾斜度，所述淺溝道隔離的表面低于所述第一鰭式結構的上表面；

刻蝕所述第一鰭式結構形成第二鰭式結構，所述第二鰭式結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分的側壁垂直于所述淺溝道隔離的表面所在平面。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述襯底上形成有掩膜層。

3.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一鰭式結構的側壁具有85°~86°的傾斜度。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一鰭式結構形成第二鰭式結構。

5.如權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝的壓強為5~50milli-torr。

6.如權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝的反應氣體包括：碳氟化合物，氯氣和溴化氫中的一種或多種。

7.如權利要求6所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述氣體流量為：碳氟化合物10~100sccm，氯氣10~1000sccm，溴化氫10~1000sccm。

8.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，采用化學氣象沉積或物理氣相沉積工藝進行氧化層的填充。

9.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝刻蝕所述氧化層。

10.如權利要求9所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝為采用稀釋的氫氟酸進行刻蝕。

11.一種利用權利要求1至10中的任一項鰭式場效應晶體管的形成方法制得的鰭式場效應晶體管，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有多個淺溝道隔離；

位于所述淺溝道隔離兩側的第二鰭式結構，所述第二鰭式結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分的側壁垂直于淺溝道隔離的表面所在平面。