[發(fā)明專利]鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210206154.7
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102747414A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉宏亮;陳雪;黃振飛
• 申請（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：坩堝（1）底部鋪一層誘導(dǎo)籽晶塊（2），誘導(dǎo)籽晶塊（2）下方墊用于在熔化末期及長晶初期，在拼接區(qū)域形成拼接縫隙處溫度高于兩側(cè)溫度的橫向溫度梯度的散熱裝置，然后在誘導(dǎo)籽晶塊（2）上面裝多晶硅料，在熔化的過程保持誘導(dǎo)籽晶塊（2）被熔化一定高度，但不能熔化完，然后以單晶誘導(dǎo)的方式向上定向凝固出單晶硅錠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：所述的散熱裝置為墊在誘導(dǎo)籽晶塊的接縫下方的熔接條（31）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：所述的散熱裝置為組合散熱墊板，組合散熱墊板包括墊在誘導(dǎo)籽晶塊的接縫下方的熔接條（31）和石墨散熱板（4），石墨散熱板（4）表面上具有凹槽（41），熔接條（31）通過嵌入凹槽（41）與石墨散熱板（4）組裝成組合散熱墊板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：所述的坩堝（1）為拼接坩堝，所述的散熱裝置為拼接坩堝的坩堝底板，坩堝底板包括墊在誘導(dǎo)籽晶塊的接縫下方的熔接條（31）和石墨散熱板（4），石墨散熱板（4）表面上具有凹槽（41），熔接條（31）通過嵌入凹槽（41）與石墨散熱板（4）組成一體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：所述的熔接條（31）為石英材質(zhì)、剛玉或剛玉莫來石。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：所述的熔接條（31）采用石英材質(zhì)，并且構(gòu)成石英框。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：所述的誘導(dǎo)籽晶塊（2）的接縫中線與熔接條（31）的中線重合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的鑄錠單晶硅生產(chǎn)方法，其特征是：在誘導(dǎo)籽晶塊（2）的拼接區(qū)域形成5-15℃/cm的橫向溫度梯度。