[發明專利]鑄錠單晶硅生產方法

無效

• 申請號: 201210206154.7
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102747414A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 葉宏亮;陳雪;黃振飛
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：坩堝（1）底部鋪一層誘導籽晶塊（2），誘導籽晶塊（2）下方墊用于在熔化末期及長晶初期，在拼接區域形成拼接縫隙處溫度高于兩側溫度的橫向溫度梯度的散熱裝置，然后在誘導籽晶塊（2）上面裝多晶硅料，在熔化的過程保持誘導籽晶塊（2）被熔化一定高度，但不能熔化完，然后以單晶誘導的方式向上定向凝固出單晶硅錠。

2.根據權利要求1所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：所述的散熱裝置為墊在誘導籽晶塊的接縫下方的熔接條（31）。

3.根據權利要求1所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：所述的散熱裝置為組合散熱墊板，組合散熱墊板包括墊在誘導籽晶塊的接縫下方的熔接條（31）和石墨散熱板（4），石墨散熱板（4）表面上具有凹槽（41），熔接條（31）通過嵌入凹槽（41）與石墨散熱板（4）組裝成組合散熱墊板。

4.根據權利要求1所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：所述的坩堝（1）為拼接坩堝，所述的散熱裝置為拼接坩堝的坩堝底板，坩堝底板包括墊在誘導籽晶塊的接縫下方的熔接條（31）和石墨散熱板（4），石墨散熱板（4）表面上具有凹槽（41），熔接條（31）通過嵌入凹槽（41）與石墨散熱板（4）組成一體。

5.根據權利要求1所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：所述的熔接條（31）為石英材質、剛玉或剛玉莫來石。

6.根據權利要求5所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：所述的熔接條（31）采用石英材質，并且構成石英框。

7.根據權利要求1或2或3或4或5所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：所述的誘導籽晶塊（2）的接縫中線與熔接條（31）的中線重合。

8.根據權利要求1或2或3或4或5所述的鑄錠單晶硅生產方法，其特征是：在誘導籽晶塊（2）的拼接區域形成5-15℃/cm的橫向溫度梯度。