[發明專利]透明導電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201210206153.2
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102751341A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 崔艷峰;袁聲召;陸中丹
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/08
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種透明導電薄膜，其特征是：在In₂O₃中摻雜的SnO₂和WO₃制成。

2.根據權利要1所述的透明導電薄膜：其特征是：所述的In₂O₃：SnO₂：WO₃各組分的質量百分比為90～95wt%:4%～9wt%:1%～5wt%。

3.根據權利要2所述的透明導電薄膜：其特征是：所述In₂O₃：SnO₂：WO₃各組分的質量百分比為91～93wt%:5%～7wt%:2%～3wt%。

4.一種權利要求1或2或3所述的透明導電薄膜制備方法：其特征是：所述的透明導電薄膜采用反應等離子體沉積，磁控濺射或者電子束蒸發的方法制備，靶材采用In₂O₃:SnO₂-WO₃混合靶，或者采用ITO和IWO兩種靶材共沉積、或者IWO和SnO₂兩種靶材共沉積。

5.根據權利4所述的透明導電薄膜制備方法：其特征是：采用反應等離子體沉積方法進行制備的具體過程是：首先將沉積腔室的真空度抽至10^-4Pa以下，樣品架移動速度設定為2mm/s~15mm/s之間，氣體為Ar和O₂，Ar流量控制在80-120sccm范圍內，O₂控制在18-23sccm范圍內，之后對等離子體槍點火，對靶材預濺射，然后開始沉積成膜，完成透明導電薄膜的制備。