[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210206135.4
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103065952B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 趙廷鎬;樸正求;秋珉完;柳斗烈
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/11521;H01L29/788
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

1.一種制造非易失性存儲器件的方法，所述方法包括：

在具有隔離區域和有源區域的襯底上形成浮置柵極；

形成與所述浮置柵極的形狀一致的介電層；

在所述襯底上形成導電層以形成控制柵極，所述控制柵極覆蓋所述浮置柵極和所述介電層；

在所述導電層的一側上形成光刻膠圖案；

所述控制柵極形成為間隔物形式以包圍所述浮置柵極的側面，所述控制柵極的形成包括對所述導電層實施回蝕到直到暴露所述浮置柵極上的所述介電層的一部分；以及

在所述控制柵極的一側上形成與多個接觸塞連接的多晶硅焊盤，所述多晶硅焊盤的形成包括移除所述光刻膠圖案，

其中所述控制柵極與所述有源區域隔離開并且所述接觸塞接觸所述控制柵極。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述控制柵極和所述多晶硅焊盤彼此連接。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述多晶硅焊盤位于所述控制柵極的傾斜部分的端部處。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述多晶硅焊盤包括形成在所述控制柵極的傾斜部分上的多晶硅突出物。

5.一種非易失性存儲器件，包括：

具有隔離區域和有源區域的襯底；

在所述襯底上的浮置柵極；

具有間隔物形式的控制柵極，所述控制柵極包圍所述浮置柵極的側面；以及

在所述控制柵極的一側上的多晶硅焊盤，多個接觸塞連接到所述多晶硅焊盤，

其中所述多晶硅焊盤是與所述隔離區域交疊的，

其中所述控制柵極與所述有源區域隔離開并且所述接觸塞接觸所述控制柵極。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述控制柵極與所述多晶硅焊盤之間的多晶硅突出物。

7.根據權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中所述控制柵極與所述浮置柵極間隔開并且包圍所述浮置柵極。

8.根據權利要求5所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述控制柵極上的硅化物層，所述硅化物層設置為減小所述控制柵極的電阻。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述襯底上的柵極絕緣層，所述控制柵極在所述柵極絕緣層上。

10.根據權利要求9所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述柵極絕緣層的中心處的隧道絕緣層，所述隧道絕緣層的厚度小于所述柵極絕緣層的厚度。

11.根據權利要求10所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述浮置柵極上的硬掩模。

12.根據權利要求11所述的非易失性存儲器件，其中所述控制柵極的高度小于或等于所述硬掩模與所述浮置柵極合并的高度，以及

其中所述控制柵極的所述高度大于所述浮置柵極的高度。

13.根據權利要求11所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述控制柵極與所述浮置柵極之間的介電層。

14.根據權利要求13所述的非易失性存儲器件，其中所述介電層包括側壁氧化物層、高壓氧化物層、以及在所述側壁氧化物層與所述高壓氧化物層之間的側壁氮化物層，所述側壁氧化物層接觸所述浮置柵極的一個側面。

15.根據權利要求13所述的非易失性存儲器件，其中所述介電層包括含有氧化物層、氮化物層和氧化物層的ONO堆疊體。

16.根據權利要求13所述的非易失性存儲器件，其中所述介電層包括其中氧化鋁層和氧化鉿層交替沉積的高k氧化物堆疊體。

17.根據權利要求14所述的非易失性存儲器件，其中所述高壓氧化物層由與所述柵極絕緣層相同的材料形成，以及

其中所述高壓氧化物層的厚度小于所述柵極絕緣層的厚度。

18.根據權利要求14所述的非易失性存儲器件，還包括：

在所述控制柵極的其它側面上的低摻雜漏極(LDD)間隔物。

19.根據權利要求14所述的非易失性存儲器件，還包括：

覆蓋所述浮置柵極、所述控制柵極和所述介電層的無邊界接觸(BLC)層。

20.根據權利要求19所述的非易失性存儲器件，其中所述無邊界接觸層、所述高壓氧化物層以及所述側壁氮化物層彼此接觸，

其中所述側壁氮化物層接觸所述硬掩模，以及

其中所述高壓氧化物層的側面接觸所述硅化物層和所述控制柵極。