[發明專利]一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管有效
| 申請號: | 201210206025.8 | 申請日: | 2012-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN102709421A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 鄭建森;林素慧;彭康偉;洪靈愿;何安和 | 申請(專利權)人: | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/10 | 分類號: | H01L33/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 241000 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 反射層 氮化 發光二極管 | ||
1.一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,包括:襯底;外延層,形成于該襯底之上,包含P型層、發光區和N型層;電流擴展層,形成于所述P型層之上;P電極,形成所述電流擴展層之上;其特征在于:一反射結構形成于所述P電極與所述外延層之間,由環狀反射層和金屬反射層構成,其幾何中心在垂直方向上與P電極對應,其中
所述環狀反射層形成于電流擴展層與P型層之間;
所述金屬反射層形成于電流擴展層與P電極之間;
所述環狀反射層與金屬反射層之間設有一預定距離。
2.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述反射結構位于P電極的正下方。
3.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層位于部分P型層之上,由至少一個環狀結構組成,其形狀與P電極的形狀一致。
4.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層為分布布拉格反射層或全方位反射層。
5.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層位于所述金屬反射層的正下方,其內環直徑小于或者等于金屬反射層的直徑,外環直徑大于金屬反射層的直徑。
6.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層的環寬為5~50微米。
7.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層的內環直徑為30~200微米。
8.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層的外環直徑為50~300微米。
9.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述金屬反射層的直徑為50~200微米。
10.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層與金屬反射層之間的預定距離為2~10微米。
11.根據權利1所述的一種具有雙反射層的氮化鎵基發光二極管,其特征在于:所述環狀反射層的厚度為0.5~5微米。
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