[發明專利]瞬時電壓抑制器電路與用于其中的二極管元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210205997.5
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103515940A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 黃宗義;蘇金練
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L29/861;H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種瞬時電壓抑制器電路，用以耦接至一受保護電路，進而限制一輸入該受保護電路的瞬時電壓的振幅，其特征在于，該瞬時電壓抑制器電路包含：

一抑制元件，具有一PN接面，用以限制該瞬時電壓的振幅；以及

至少一二極管元件，耦接于該受保護電路與該抑制元件之間，且與該PN接面反向對接；

其中，該二極管元件形成于一第一導電型基板中，該基板具有一上表面，該二極管元件包括：

一第一導電型或第二導電型井區，形成于該上表面下的該基板中；

一分隔區，形成于該上表面下的該基板中，由俯視圖視的，該分隔區位于該井區中；

一第一導電型順向區，形成于該分隔區一側的該上表面下方；

一第二導電型逆向區，形成于該分隔區另一側的該上表面下方，且該順向區與該逆向區由該分隔區隔開；以及

一埋層，形成于該井區下方的該基板中，其具有與該井區相同的導電型，且該埋層的雜質濃度高于該井區的雜質濃度。

2.如權利要求1所述的瞬時電壓抑制器電路，其中，該分隔區包括一場氧化區或一純質半導體區。

3.如權利要求1所述的瞬時電壓抑制器電路，其中，該抑制元件包括一變阻器元件、一齊納二極管、二串聯對接的齊納二極管、或一無柵極金屬氧化物半導體元件。

4.如權利要求1所述的瞬時電壓抑制器電路，其中，該二極管元件為多個，且安排于該抑制元件兩側。

5.如權利要求1所述的瞬時電壓抑制器電路，其中，該埋層與該井區由俯視圖視之，定義于相同區域。

6.一種用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件，用以與該瞬時電壓抑制器電路中所包含的一具有PN接面的抑制元件反向對接，該用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件形成于一第一導電型基板中，該基板具有一上表面，其特征在于，該二極管元件包含：

一第一導電型或第二導電型井區，形成于該上表面下的該基板中；

一分隔區，形成于該上表面下的該基板中，由俯視圖視之，該分隔區位于該井區中；

一第一導電型順向區，形成于該分隔區一側的該上表面下方；

一第二導電型逆向區，形成于該分隔區另一側的該上表面下方，且該順向區與該逆向區由該場氧化區隔開；以及

一埋層，形成于該井區下方的該基板中，其具有與該井區相同的導電型，且該埋層的雜質濃度高于該井區的雜質濃度。

7.如權利要求6所述的用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件，其中，該分隔區包括一場氧化區或一純質半導體區。

8.如權利要求6所述的用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件，其中，該抑制元件包括一變阻器元件、一齊納二極管、二串聯對接的齊納二極管、或一無柵極金屬氧化物半導體元件。

9.如權利要求6所述的用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件，其中，該埋層與該井區由俯視圖視之，定義于相同區域。

10.一種用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件制造方法，該二極管元件用以與該瞬時電壓抑制器電路中所包含的一具有PN接面的抑制元件反向對接，其特征在于，該制造方法包含：

提供一第一導電型基板，該基板具有一上表面；

形成一第一導電型或第二導電型井區于該上表面下的該基板中，并形成一埋層于該井區下方的該基板中，該埋層具有與該井區相同的導電型，且該埋層的雜質濃度高于該井區的雜質濃度；

形成一分隔區于該上表面下的該基板中，由俯視圖視之，該分隔區位于該井區中；

形成一第一導電型順向區于該分隔區一側的該上表面下方；以及

形成一第二導電型逆向區于該分隔區另一側的該上表面下方，且該順向區與該逆向區由該分隔區隔開。

11.如權利要求10所述的用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件制造方法，其中，該分隔區包括一場氧化區或一純質半導體區。

12.如權利要求10所述的用于瞬時電壓抑制器電路中的二極管元件制造方法，其中，該埋層與該井區由俯視圖視之，定義于相同區域。