[發明專利]一種選擇性擴散的實現方式無效
| 申請號: | 201210205973.X | 申請日: | 2012-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN102751378A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 張學玲 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 選擇性 擴散 實現 方式 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池工藝,尤其是一種選擇性擴散的實現方式。
背景技術
目前的選擇性擴散的實現方式很多都與絲網印刷有關,如采用SiO2掩膜,Merck漿料開槽的方式、innovolight的硅墨水方式,此種方式受網版變形等因素影響大,容易導致后期絲網印刷電極無法對準,嚴重影響效率。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:提出一種重復性良好的選擇性擴散的實現方式。
本發明所采用的技術方案為:一種選擇性擴散的實現方式,包括以下步驟:
1)根據電池片表面柵線圖形設計模具的圖形;
2)清洗硅片,拋光或制絨;
3)用懸涂機器在硅片表面懸涂含摻雜劑的擴散源;所述的擴散源具有一定的流動性,可以為溶膠凝膠源或其他彈性源。
4)用制作好的模具壓制硅片,將模具上的圖形轉移至硅片表面;
5)烘干硅片表面的彈性源;
6)硅片進入高溫擴散設備進行擴散。
具體的說,本發明所述的步驟1)中的模具圖形的制法為:電池片中的電極部分為重擴散區域,對應模具的凹區域;電極之間為淺擴散區域,對應模具的凸區域。所述的步驟4)中模具壓制硅片,硅片表面懸涂的擴散源呈凹凸狀;凸狀區域為重擴散區域,凹狀區域為淺擴散區域。
本發明所述的模具材料可以是高強度的塑料,或陶瓷,由于強度高,模具不易變形,與后期的絲網印刷電極比較容易對準。
本發明的有益效果是:本發明大大降低了由于網版變形等導致的印刷偏移,提升產線良率,比較容易實現產業化。
具體實施方式
現在實施例對本發明作進一步詳細的說明。
一種選擇性擴散的實現方式,包括以下步驟:
1)根據電池片表面柵線圖形設計模具的圖形;電池片中的電極部分為重擴散區域,對應模具的凹區域;電極之間為淺擴散區域,對應模具的凸區域;
2)清洗硅片;
3)用懸涂機器在硅片表面懸涂含摻雜劑的溶膠凝膠源。
4)用制作好的模具壓制硅片,硅片表面懸涂的擴散源呈凹凸狀;凸狀區域為重擴散區域,凹狀區域為淺擴散區域。將模具上的圖形轉移至硅片表面;
5)烘干硅片表面的溶膠凝膠源;
6)硅片進入高溫擴散設備進行擴散。
以上說明書中描述的只是本發明的具體實施方式,各種舉例說明不對本發明的實質內容構成限制,所屬技術領域的普通技術人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實施方式做修改或變形,而不背離發明的實質和范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





