[發明專利]具有多區域控制的靜電卡盤在審
| 申請號: | 201210205957.0 | 申請日: | 2012-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN103247563A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 陳嘉和;連明惠;吳淑芬;李志聰;周友華 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 區域 控制 靜電 卡盤 | ||
1.一種靜電卡盤,包括:
夾緊面,包括介電層,其中,所述介電層包括域和在所述域中限定的一個或多個區域,其中,所述域包括第一介電材料,而所述一個或多個區域包括第二介電材料,其中,所述第一介電材料和所述第二介電材料中的每一種都具有與其相關的不同介電常數;以及
一個或多個電極,與所述介電層相關,其中,提供給所述一個或多個電極的電壓被配置成感生靜電吸引力,所述靜電吸引力與所述域和所述一個或多個區域中的每一個相關,并且所述靜電吸引力基于所述域和所述一個或多個區域中的每一個的介電材料而變化。
2.根據權利要求1所述的靜電卡盤,其中,所述一個或多個區域中的靜電吸引力大于所述域中的靜電吸引力。
3.根據權利要求1所述的靜電卡盤,其中,所述一個或多個區域包括:中心區域,與所述夾緊面的中心相關;和外圍區域,與所述夾緊面的外圍相關。
4.根據權利要求3所述的靜電卡盤,其中,所述中心區域包括通常被所述域圍繞的所述第二介電材料的環。
5.根據權利要求3所述的靜電卡盤,其中,所述外圍區域包括通常被所述域圍繞的所述第二介電材料的環。
6.根據權利要求3所述的靜電卡盤,其中,所述中心區域包括所述第二介電材料的中心圓盤。
7.根據權利要求1所述的靜電卡盤,其中,所述中心區域和所述外圍區域中的一個或多個包括所述第二介電材料的多個島狀物。
8.根據權利要求1所述的靜電卡盤,其中,所述一個或多個區域包括與所述夾緊面的中心相關的中心區域,其中,所述中心區域中的靜電吸引力大于所述域中的靜電吸引力。
9.根據權利要求1所述的靜電卡盤,其中,所述一個或多個區域包括與所述夾緊面的外圍相關的外圍區域,其中,所述外圍區域中的靜電吸引力大于所述域中的靜電吸引力。
10.一種用于夾緊彎曲工件的靜電夾緊系統,所述靜電夾緊系統包括:
靜電卡盤,包括:
夾緊面,包括介電層,其中,所述介電層包括域和在所述域中限
定的一個或多個區域,其中,所述域包括第一介電材料,而所述一個
或多個區域包括第二介電材料,其中,所述第一介電材料和所述第二
介電材料中的每一個都具有與其相關的不同介電常數;以及
一個或多個電極,與所述介電層相關;
電源,可操作地連接至所述一個或多個電極;以及
控制器,所述控制器被配置成控制通過電源提供給所述一個或多個電極的夾緊電壓,其中,感生與所述靜電卡盤的所述介電層的所述域和所述一個或多個區域中的每一個相關的靜電吸引力,其中,所述靜電吸引力基于所述域和所述一個或多個區域中的每一個的介電材料而變化,其中,所述一個或多個區域中的靜電吸引力大于所述域中的靜電吸引力,其中,所述彎曲工件的彎曲區域被吸附至所述靜電卡盤的夾緊面并且橫跨所述彎曲工件的表面,所述彎曲工件被夾到所述夾緊面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





