[發明專利]一種制造納米電容器的方法有效
| 申請號： | 201210205760.7 | 申請日： | 2012-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102709052A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 楊亞杰;蔣亞東;徐建華;楊文耀;李世彬 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01G4/008 | 分類號： | H01G4/008;H01G4/10;H01G4/33 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制造 納米 電容器 方法 | ||
1.一種制造納米電容器的方法，其特征在于，包括：
在基片上形成至少一層金屬納米粒子層；
在所述至少一層金屬納米粒子層中的金屬納米粒子表面形成介電材料層；
在所述介電材料層上沉積聚合物復合材料以形成聚合物復合材料層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述在基片上形成至少一層金屬納米粒子層包括：
將金屬納米粒子分散溶于溶劑中，形成金屬納米粒子溶液；
將所述金屬納米粒子溶液滴加到亞相液表面，使得所述金屬納米粒子分散鋪展于所述亞相液表面；
壓縮鋪展于所述亞相液表面的所述金屬納米粒子，形成金屬納米粒子膜；
將所述金屬納米粒子膜轉移到所述基片上，在所述基片上形成至少一層金屬納米粒子層。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，其中將所述金屬納米粒子膜轉移到所述基片上包括：使用垂直提拉法、水平附著法或者亞相液降低法將所述金屬納米粒子膜轉移到所述基片上。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述金屬納米粒子為鋁納米粒子或者鉭納米粒子。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述基片氧化銦錫基片、不銹鋼基片、鉑基片或者金基片。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中在所述至少一層金屬納米粒子層中的金屬納米粒子表面形成介電材料層包括：
將形成了至少一層金屬納米粒子層的所述基片置入酸性水溶液中；
使用電化學方法在所述基片上的所述金屬納米粒子的表面形成金屬氧化物層，所述金屬氧化物層即為介電材料層。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述酸性水溶液為磷酸水溶液或者硫酸水溶液。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中在所述介電材料層上沉積聚合物復合材料以形成聚合物復合材料層包括：
將在金屬納米粒子表面形成了介電材料層的所述基片置入陽離子聚合物電解質溶液中第一時間；
將被置入了陽離子聚合物電解質溶液中第一時間的所述基片置入陰離子聚合物電解質溶液中第二時間；
或者：
將在金屬納米粒子表面形成了介電材料層的所述基片置入陰離子聚合物電解質溶液中第二時間；
將被置入了陰離子聚合物電解質溶液中第二時間的所述基片置入陽離子聚合物電解質溶液中第一時間。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，其中所述陽離子聚合物電解質為可以在水中電離為陽離子的聚合物，所述陰離子聚合物電解質為可以在水中電離為陰離子的聚合物。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述陽離子聚合物電解質為鄰苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯、聚二甲基二烯丙基氯化銨或者聚丙烯酰胺，所述陰離子聚合物電解質為聚-3,4-乙撐二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸鈉。
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