[發明專利]平面高壓晶體管的分壓環的制造方法

有效

• 申請號: 201210205702.4
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN102760648A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 王英杰;吳貴陽;崔健;王平
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種平面高壓晶體管的分壓環制造方法，其特征在于平面晶體管的主結和分壓環在不同的工序中形成。包括如下步驟：

(1)采用擴散工藝在N層形成平面高壓晶體管的主結；

(2)對平面高壓晶體管的SIO2層進行光刻刻蝕，在SIO2層形成分壓環窗口；

(3)對平面高壓晶體管的分壓環窗口進行氧化；

(4)在平面高壓晶體管的分壓環窗口注入小劑量硼；

(5)對平面高壓晶體管的分壓環窗口進行注入退火，形成分壓環。

2.如權利要求1所述方法，其特征在于可以形成一個分壓環，也可以同時形成數個分壓環。

3.如權利要求1所述方法，其特征在于所述分壓環每平方厘米注入1E12～1E13個硼離子。