[發明專利]橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210205642.6
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102738215A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 唐納徳·迪斯尼
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件，包括：

半導體層，具有第一導電類型；

體區，位于所述半導體層中，具有與該第一導電類型相反的第二導電類型，并且具有第一摻雜濃度；

源區，具有所述的第一導電類型，該源區形成于所述體區中；

漏區，具有所述的第一導電類型，該漏區形成于所述半導體層中，與所述源區相分離；

柵區，位于所述半導體層的位于所述源區和所述漏區之間的部分上；以及

凹陷的源電極接觸，包括凹陷部分，所述凹陷部分縱向延伸穿過所述源區并與所述體區接觸，并且所述凹陷部分與所述源區和所述體區電氣耦接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

第一體接觸區，位于所述凹陷的源電極接觸下方并與所述凹陷的源電極接觸相接觸，該第一體接觸區具有所述的第一導電類型并且具有第二摻雜濃度，其中所述的第二摻雜濃度高于所述的第一摻雜濃度。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

第二體接觸區，包絡所述第一體接觸區并與所述第一體接觸區相接觸，該第二體接觸區具有所述的第一導電類型并且具有第三摻雜濃度，其中所述第三摻雜濃度高于所述第一摻雜濃度并且低于所述第二摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

第一硅化物層，形成于所述凹陷的源電極接觸的所述凹陷部分的底面和側壁上。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

具有所述第一導電類型的第一輕摻雜層，形成于所述體區中，與所述源區相鄰并接觸，并且該第一輕摻雜層延伸至所述柵區下。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

具有所述第一導電類型的第二輕摻雜層，形成于所述半導體層中，與所述漏區相鄰并接觸，并且該第二輕摻雜層延伸至所述柵區下。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

隔離側墻，毗鄰所述柵區的每一側形成，其中所述凹陷的源電極接觸的側壁與所述隔離側墻自對準。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于進一步包括：

源電極接觸凹陷，縱向穿過所述源區并與所述體區接觸，所述源電極接觸凹陷具有與所述體區接觸的底面和橫向自對準于所述隔離側墻的側壁；以及

硅化物層，沿所述源電極接觸凹陷的底面和側壁形成；其中

所述凹陷的源電極接觸位于所述源電極接觸凹陷中，并且所述凹陷的源電極接觸的所述凹陷部分通過所述硅化物層與所述源區耦接。

9.一種形成半導體器件的方法，包括：

提供具有第一導電類型的半導體層的步驟；

在所述半導體層上形成柵區的步驟，其中所述柵區形成后會形成源區開孔和漏區開孔，所述柵區將所述源區開孔和所述漏區開孔分隔開；

在位于所述源區開孔下方的所述半導體層中形成體區的步驟，其中所述體區具有第二導電類型并具有第一摻雜濃度；

通過所述源區開孔在所述體區中形成源區的步驟，其中所述源區具有所述第一導電類型；

通過所述漏區開孔在位于所述漏區開孔下方的所述半導體層中形成漏區的步驟，其中所述漏區具有所述第一導電類型；以及

形成凹陷的源電極接觸的步驟，其中所述凹陷的源電極接觸具有凹陷部分，該凹陷部分縱向延伸穿過所述源區并與所述體區接觸，并且所述凹陷部分與所述源區和所述體區電氣耦接。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成凹陷的源電極接觸的步驟包括：

形成包裹所述柵區的第二隔離層的步驟；

形成源電極接觸開孔的步驟，其中所述源電極接觸開孔縱向延伸穿過所述源區直到露出所述體區；

形成金屬層的步驟，其中所述金屬層覆蓋所述第二隔離層并填充所述源電極接觸開孔；以及

刻蝕所述金屬層形成所述凹陷的源電極接觸的步驟。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在形成所述金屬層之前形成第一體接觸區的步驟，其中

所述形成第一體接觸區的步驟包括：通過所述源電極接觸開孔向所述體區中注入具有所述第二導電類型并具有第二摻雜濃度的離子以形成第一體接觸區，所述第二摻雜濃度高于所述第一摻雜濃度。