[發(fā)明專(zhuān)利]一種薄膜磁阻傳感器元件及薄膜磁阻電橋

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210205391.1
• 申請(qǐng)日: 2012-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102721427A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王建國(guó)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫樂(lè)爾科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01D5/12
• 分類(lèi)號(hào): G01D5/12;G01R33/09;G01R17/00
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：其結(jié)構(gòu)依次包括下電極、種子層、反鐵磁釘扎層、磁性被釘扎層結(jié)構(gòu)、非磁性隔離層、磁性自由層、保護(hù)層、上電極、偏磁層。

2.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：所述反鐵磁釘扎層的材料是MnIr、MnPt或MnFe。

3.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：所述磁性釘扎層的材料是CoFeB、?CoFe,?或是SAF結(jié)構(gòu)CoFe/Ru/CoFe、CoFe/Ru/CoFeB/Ta/CoFeB。

4.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：所述非磁性隔離層的材料是Cu、AlO、MgO、HfO、?ZrO或TaO。

5.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：所述磁性自由層其材料是CoFeB、CoFe、CoFeB/NiF、CoFe/NiFe、CoFeB/Ta/NiFe或CoFe/Ta/NiFe。

6.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：所述偏磁層其材料是CoCrPt、CoPt、FePt，或由其組成的多層膜結(jié)構(gòu)Ru/CoPt/Ru/CoPt，?Ta/CoPt/Ta/CoPt，Ta/FePt/Ta/FePt，Ru/FePt/Ru/FePt。

7.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜磁阻傳感器元件，其特征在于：所述磁性被釘扎層的磁矩方向與磁性自由層的磁矩方向相互垂直；所述磁性自由層的磁矩方向受偏置層所產(chǎn)生磁場(chǎng)的偏置，從而垂直于磁性被釘扎層的磁矩方向。

8.一種薄膜磁阻電橋半橋，其特征在于：其包括兩個(gè)如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的薄膜磁阻傳感器元件；該兩個(gè)薄膜磁阻傳感器元件的磁性被釘扎層的磁矩方向相互反平行，而磁性自由層的磁矩方向相互平行。

9.一種薄膜磁阻電橋全橋，其特征在于：其結(jié)構(gòu)包括四個(gè)如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的薄膜磁阻傳感器元件；所述四個(gè)薄膜磁阻傳感器元件中，兩個(gè)的磁性被釘扎層的磁矩方向相互平行并與另外兩個(gè)薄膜磁阻傳感器元件的磁性被釘扎層的磁矩方向反平行，并分別位于全橋的一邊，而四個(gè)薄膜磁阻傳感器元件的磁性自由層的磁矩方向相互平行。