[發明專利]一種提高鑄錠單晶硅收率的方法

無效

• 申請號: 201210205294.2
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102732948A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 熊震;付少永;張馳;黃強;黃振飛;劉振淮;陳雪
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 路接洲

1.一種提高鑄錠單晶硅收率的方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在鑄錠坩堝底部設置雜質擴散阻擋層，來阻擋雜質向晶錠內的擴散；

2）將厚度為5~50?mm的單晶硅塊緊密排列，作為籽晶鋪滿坩堝底部；

3）然后依次將硅料、摻雜元素原料置于坩堝中；

4）抽取真空并通入惰性氣體N₂或Ar，邊抽真空邊通入惰性氣體；

5）加熱坩堝，使作為籽晶的單晶硅塊接觸于坩堝底部的部分不熔化，與坩堝不接觸的部分、硅料及摻雜元素原料均熔化并在原子尺度上彼此充分混合；

6）定向凝固時，使坩堝底部為冷端，籽晶的未熔化部分誘導硅熔體的凝固生長，得到具有特定晶向的鑄錠單晶硅。

2.如權利要求1所述的一種提高鑄錠單晶硅收率的方法，其特征在于：所述步驟1）中的雜質擴散阻擋層為氮化硅薄膜、氮化硅粉、氮化硅球、石英板、多孔硅、硅粉、硅片、架空或其他具有雜質擴散阻擋功能的形式。

3.如權利要求2所述的一種提高鑄錠單晶硅收率的方法，其特征在于：所述的雜質擴散阻擋層采用薄膜或硅片，厚度為0.01~5mm；采用板材，厚度為5~20mm；采用粉狀物，松裝厚度為0.5~20mm；采用架空，則架空的高度為1~20mm。

4.如權利要求3所述的一種提高鑄錠單晶硅收率的方法，其特征在于：所述的架空是通過支撐物支撐籽晶來達到目的的。