[發明專利]一種測量N型硅片少子壽命的鈍化方法

無效

• 申請號: 201210205274.5
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102735510A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 張弛;熊震;付少永
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N1/34;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種測量N型硅片少子壽命的鈍化方法，其特征是：具有如下步驟：

a、將原生N型硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附著的顆粒、油污和金屬雜質；

b、將漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；

c、將清洗后硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面殘留的鈉、鐵、鎂和鋅金屬污染物；

d、將漂洗后硅片浸入由氫氟酸、硝酸混合去離子水制得的酸性漂洗液中浸泡；

e、將浸泡后硅片置于去離子水中漂洗后用氮氣吹干；

f、上述吹干后的樣片用濃度為4.0～4.8mol/l氫氧化鉀鈍化后密封，利用μ-PCD法進行少子壽命測試。

2.根據權利要求1所述的測量N型硅片少子壽命的鈍化方法，其特征是：所述步驟a中的漂洗溫度為70～80℃，時間為5～10min。

3.根據權利要求1所述的測量N型硅片少子壽命的鈍化方法，其特征是：所述步驟b中的清洗液為去離子水稀釋濃度為49%的氫氟酸而得溶液；HF溶液配比：V氫氟酸:V去離子水=1:（40～60）,漂洗時間為10～20s。

4.根據權利要求1所述的測量N型硅片少子壽命的鈍化方法，其特征是：所述步驟c中漂洗溫度為70～80℃，時間為5～10min。

5.根據權利要求1所述的測量N型硅片少子壽命的鈍化方法，其特征是：所述步驟d中是將原生硅片浸入由質量百分比為47%～49%的氫氟酸，65%～68%的硝酸混合去離子水制得的酸性漂洗液中漂洗，時間為1～3min，酸性漂洗液配比為V氫氟酸：V硝酸:V去離子水=(1～1.5):(2～4.5):(1.7～3.0)。

6.根據權利要求1所述的測量N型硅片少子壽命的鈍化方法，其特征是：所?述的硅片厚度為160μm～200μm。?