[發(fā)明專利]一種生長純凈準單晶的鑄錠熱場有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210205228.5 | 申請日： | 2012-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN102732947A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張志強;黃振飛;劉振準 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 生長 純凈 準單晶 鑄錠 | ||
1.一種生長純凈準單晶的鑄錠熱場，具有上爐體、下爐體，所述的上爐體、下爐體形成的空腔內(nèi)設有石英陶瓷坩堝，所述的石英陶瓷坩堝外壁外側(cè)設有側(cè)部主加熱器，所述的石英陶瓷坩堝頂部設有頂部主加熱器，其特征在于：所述的石英陶瓷坩堝外壁與側(cè)部主加熱器之間設有移動式副加熱器，所述的移動式副加熱器與副加熱器電極連接，所述的副加熱器電極穿過上爐體與副加熱器電極移動裝置連接，所述的副加熱器電極移動裝置安裝在上爐體上，所述的副加熱器電極移動裝置通過副加熱器電極帶動移動式副加熱器上、下移動，所述的移動式副加熱器自下向上移動的速度曲線與石英陶瓷坩堝內(nèi)單晶硅籽晶的長晶速度曲線一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生長純凈準單晶的鑄錠熱場，其特征在于：所述的移動式副加熱器為環(huán)形，所述的移動式副加熱器繞石英陶瓷坩堝的外壁壁面一周。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種生長純凈準單晶的鑄錠熱場，其特征在于：所述的副加熱器電極為沿圓周均勻分布的三根電極棒，三根電極棒均與環(huán)形的移動式副加熱器連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生長純凈準單晶的鑄錠熱場，其特征在于：所述的石英陶瓷坩堝置于石墨坩堝內(nèi)，所述的石墨坩堝底部設置有石墨助凝塊，所述的石墨助凝塊由支撐柱支撐，所述的石英陶瓷坩堝內(nèi)加有硅溶液，所述的石墨坩堝位于底部開口的保溫腔側(cè)壁內(nèi)，所述的側(cè)部主加熱器位于保溫腔側(cè)壁與石墨坩堝外壁之間，所述的移動式副加熱器位于石墨坩堝外壁與側(cè)部主加熱器之間，所述的側(cè)部主加熱器與頂部主加熱器連接有主加熱器電極，所述的保溫腔側(cè)壁與保溫腔底板脫離形成豁口。
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