[發(fā)明專利]等離子顯示器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210204973.8
• 申請日: 2006-01-19
• 公開（公告）號: CN102750880A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 西村賢;巖岡繁
• 申請（專利權）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: G09F9/313
• 分類號: G09F9/313;H01J17/49
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 趙騰飛;王英

本申請是于2006年1月19日提交的發(fā)明專利申請200610006149.6的分案申請。

技術領域

本發(fā)明涉及一種使用等離子顯示面板的等離子顯示器。

背景技術

等離子顯示器包括具有分別與像素對應的多個顯示單元的等離子顯示面板。通過借助于多個子場構造圖像信號的一場（或一幀），等離子顯示器實現(xiàn)灰度級顯示，其中每個子場包括作為時間周期的尋址周期和維持周期。在尋址周期中，根據(jù)輸入圖像信號，通過使等離子顯示面板的各顯示單元有選擇地放電來設定存在壁電荷的照亮模式狀態(tài)和不存在壁電荷的非照亮模式狀態(tài)中的任何一種狀態(tài)。此外，在維持周期中，僅僅允許已經(jīng)處于照亮模式狀態(tài)中的顯示單元保持在發(fā)光狀態(tài)，其中在該發(fā)光狀態(tài)中重復執(zhí)行維持放電，重復的次數(shù)與每個子場的權重相對應。

此外，恰好在各子場的尋址周期之前設置對所有顯示單元的狀態(tài)進行初始化的復位周期。在復位周期中，首先引起用于在所有顯示單元中形成壁電荷的寫復位放電，并且通過連續(xù)引起用于擦除所有顯示單元中形成的壁電荷的擦除復位放電，在擦除模式狀態(tài)中對所有顯示單元進行初始化。然而，由于在根據(jù)輸入圖像信號的顯示圖像中并不涉及伴隨復位放電的發(fā)光，并且在所有的顯示單元中一起引起該發(fā)光，所以顯示圖像的對比度尤其是顯示表示暗場景的圖像時的暗對比度下降。因此，已經(jīng)提出了通過將一場（或一幀）的顯示周期中的復位放電次數(shù)僅設置為一次從而抑制對比度下降的驅(qū)動方法（例如，日本專利申請公報特開平11-65517）。

當復位放電的次數(shù)僅僅設置為一次時，在隨后的尋址周期和維持周期中的各種放電中發(fā)生放電延遲。因此，需要使施加給等離子面板以引起各種放電的各驅(qū)動脈沖的脈沖寬度加寬。然而，根據(jù)脈沖寬度的加寬部分，分別使尋址周期和維持周期加長，所以存在難以通過增大子場的數(shù)量而使顯示灰度級數(shù)增大這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是提供一種增加顯示灰度級數(shù)的等離子顯示器。

根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器裝備有等離子顯示面板，該等離子顯示面板具有構成多條顯示線的多個行電極對和與每個行電極對交叉的多個列電極，從而形成多個顯示單元，每個顯示單元在交叉部分具有放電空間，該等離子顯示器包括：氧化鎂層，形成在與每個顯示單元中的放電空間接觸的平面上，該氧化鎂層具有氧化鎂結晶體，該氧化鎂結晶體在受到電子束照射引起激勵作用下執(zhí)行波峰在200－300nm波段內(nèi)的陰極發(fā)光光發(fā)射；尋址裝置，用于通過依次向每個行電極對中的一個行電極施加掃描脈沖并且基于圖像信號按照像素數(shù)據(jù)向列電極施加像素數(shù)據(jù)脈沖而在每個顯示單元中有選擇地引起尋址放電，設定所述多個顯示單元處于照亮單元狀態(tài)或非照亮單元狀態(tài)；和維持裝置，用于在上述尋址裝置有選擇地掃描一些顯示線或全部顯示線結束之后，通過向每個行電極對施加維持脈沖，僅使處于照亮單元狀態(tài)中的顯示單元執(zhí)行維持放電。

附圖說明

圖1為概括地示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的構造圖；

圖2為示意性示出從圖1中顯示器的顯示屏側觀察時PDP內(nèi)部結構正視圖；

圖3為沿圖2中示出的線V3-V3的橫截面視圖；

圖4為沿圖2中示出的線W2-W2的橫截面視圖；

圖5示出了具有立方多晶結構的氧化鎂單晶；

圖6示出了具有立方多晶結構的氧化鎂單晶；

圖7示出了氧化鎂單晶粉末是如何附著到介電層和凸起的介電層表面上而形成氧化鎂層；

圖8示出圖1中表示的等離子顯示器中使用的示例性發(fā)光驅(qū)動序列；

圖9示出了根據(jù)上述發(fā)光驅(qū)動序列施加給PDP的各個驅(qū)動脈沖和施加這些脈沖的定時；

圖10為示出氧化鎂單晶粉末的粒徑和CL光發(fā)射的波長之間關系曲線圖；

圖11為示出氧化鎂單晶粉末的粒徑和235nm的CL光發(fā)射強度之間關系的曲線圖；

圖12為示出當顯示單元PC中沒有形成氧化鎂層時的放電概率、當根據(jù)常規(guī)汽相沉積法形成氧化鎂層時的放電概率和按多晶結構形成氧化鎂層時的放電概率；以及

圖13為示出CL光發(fā)射的強度、其在235nm處的波峰和放電延遲時間之間的對應關系圖。

具體實施方式

下面參考附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。

圖1為概括地示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的構造圖。