[發明專利]直拉多或單晶硅制備工藝

無效

• 申請號: 201210204933.3
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102758253A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 林游輝
• 申請（專利權）人: 合肥景坤新能源有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/00;C30B28/10
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 方崢

1.直拉多或單晶硅制備工藝，其特征在于，包括有以下操作步驟：

a)、加料：將多晶硅或單晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定，雜質種類有硼、磷、氮；

b)、融化：加完多晶硅或單晶硅原料于石英坩堝內后，長晶爐必須關閉并抽成真空后充入高純氮氣，氮氣的純度為98％以上，氮氣壓力為0.06-0.2MPa,?氮氣流量80-100L/min,然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度1420℃以上，將多晶硅或單晶硅原料熔化；

c)、縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中，將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到4-6mm；

d)、放肩生長：長完細頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小；

e)、等徑生長：長完細頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分，單晶硅片取自于等徑部分；

f)、尾部生長：在長完等徑部分之后，必須先將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開，長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。

2.根據權利要求1所述直拉多或單晶硅制備工藝，其特征在于：所述的氮的濃度為2×10¹³-4×10¹⁵/cm³。