[發(fā)明專利]一種控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用的方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210204528.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102789813A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧恩華;李志雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市江波龍電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/06 | 分類號(hào): | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)科發(fā)路8*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 控制 存儲(chǔ) 設(shè)備 最低 有效 使用 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用的方法及裝置。
背景技術(shù)
閃存按照其內(nèi)部構(gòu)架可以分為單層單元閃存(Single-Level?Cell,SLC)和多層單元閃存(Multi-Level?Cell,MLC)。閃存內(nèi)部包含多個(gè)存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊由多個(gè)頁組成。在SLC中,所有頁的使用壽命(即擦除、讀寫次數(shù))都是相同的,在10萬次以上。而在MLC中,只有最低有效位頁的使用壽命能達(dá)到SLC中頁的使用壽命,對(duì)于非最低有效位頁其使用壽命只有1萬次左右。
現(xiàn)有技術(shù)采用“均衡磨損”的方式來使用MLC,即使用時(shí)盡量保證各頁的擦除、讀寫次數(shù)基本一致。然而,由于MLC中最低有效位頁和非最低有效位頁的擦寫次數(shù)不同,當(dāng)非最低有效位頁的擦寫次數(shù)達(dá)到極限時(shí),將導(dǎo)致整個(gè)閃存報(bào)廢或使用時(shí)出錯(cuò),如丟失數(shù)據(jù)、不能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)等。
因此,采用“均衡磨損”方式只是提高了在同等壽命內(nèi)對(duì)閃存的整體利用率,未能提高閃存中最低有效位頁的使用壽命,即當(dāng)非最低有效位頁的壽命使用達(dá)到極限時(shí),整個(gè)閃存壽命也將達(dá)到極限,但MLC中最低有效位頁的使用壽命還未達(dá)到極限,浪費(fèi)了最低有效位頁的部分使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用的方法及裝置,以延長(zhǎng)MLC的使用壽命。
本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用的方法,所述方法包括:
設(shè)置非最低有效位頁使用次數(shù)的臨界值或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值;
記錄每個(gè)非最低有效位頁的使用次數(shù)或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù);
當(dāng)所述非最低有效位頁中使用次數(shù)達(dá)到所述使用次數(shù)的臨界值,或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)達(dá)到所述糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值的非最低有效位頁的比例達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí),修正所述非最低有效位頁。
本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用的裝置,所述裝置包括:
設(shè)置單元,用于設(shè)置非最低有效位頁使用次數(shù)的臨界值或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值;
計(jì)數(shù)單元,用于記錄每個(gè)非最低有效位頁的使用次數(shù)或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù);
控制單元,用于當(dāng)所述非最低有效位頁中使用次數(shù)達(dá)到所述使用次數(shù)的臨界值,或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)達(dá)到所述糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值的非最低有效位頁的比例達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí),修正所述非最低有效位頁。
本發(fā)明實(shí)施例的再一目的在于提供一種存儲(chǔ)設(shè)備,所述存儲(chǔ)設(shè)備包括所述控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用的裝置。
從上述技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置非最低有效位頁使用次數(shù)的臨界值或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值,當(dāng)所述非最低有效位頁中使用次數(shù)達(dá)到所述使用次數(shù)的臨界值,或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)達(dá)到所述糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值的非最低有效位頁的比例達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí),修正所述非最低有效位頁,使得修正后的存儲(chǔ)設(shè)備在其非最低有效位頁達(dá)到其使用壽命的臨界值時(shí),最低有效位頁仍可繼續(xù)使用,從而有效的延長(zhǎng)了所述存儲(chǔ)設(shè)備的使用壽命,具有較強(qiáng)的實(shí)用性。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用方法的實(shí)現(xiàn)流程圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用裝置的組成結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
為了說明本發(fā)明所述的技術(shù)方案,下面通過具體實(shí)施例來進(jìn)行說明。
實(shí)施例一:
圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例一提供的控制存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)非最低有效位頁使用方法的實(shí)現(xiàn)流程,該方法過程詳述如下:
在步驟S101中,設(shè)置非最低有效位頁使用次數(shù)的臨界值或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值。
在本實(shí)施例中,所述使用次數(shù)包括擦除、讀寫等次數(shù)。所述糾錯(cuò)個(gè)數(shù)的臨界值指的是任意非最低有效位頁內(nèi)錯(cuò)誤個(gè)數(shù)超過錯(cuò)誤校正碼可校正錯(cuò)誤的最大值。
在步驟S102中,記錄每個(gè)非最低有效位頁的使用次數(shù)或者糾錯(cuò)個(gè)數(shù)。
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