[發明專利]用于測定阱上金屬鎳硅化合物平面生長速率的結構及其應用有效
| 申請號： | 201210204477.2 | 申請日： | 2012-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN102723323A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 倪棋梁;陳宏璘;范榮偉;龍吟;郭明升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 測定 金屬 化合物 平面 生長 速率 結構 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一個用于測定阱上金屬鎳硅化合物平面生長速率的結構，包括一有源區，其特征在于，所述有源區上設有離子阱，所述離子阱上設有金屬鎳硅化合物，所述金屬鎳硅化合物上面設有第一接觸孔，
所述有源區上設有第二接觸孔，所述第二接觸孔內不存在金屬鎳硅化合物。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子阱為N型或P型。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源區為N型或P型。
4.一種利用權利要求1所述結構測定阱上金屬鎳硅化合物平面生長速率的方法，其特征在于，包括以下步驟：
首先，用掃描電子顯微鏡觀察第一接觸孔和第二接觸孔中亮度，所述第一接觸孔底部暴露出有源區，所述第二接觸孔設置底部暴露出離子阱上方的金屬鎳硅化合物；
其次，讓金屬鎳硅化合物沿著水平方位生長，并監測第一接觸孔和第二接觸孔中的亮度變化，當亮度發生改變時停止金屬鎳硅化合物的生長，記錄生長時間及第一接觸孔和第二接觸孔之間的距離；
最后，根據記錄下來的數據計算金屬鎳硅化合物的生長速率。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述離子阱為N型或P型。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述有源區為N型或P型。
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