[發明專利]灰階光掩膜與制作方法以及以灰階光掩膜形成溝渠方法

有效

• 申請號: 201210204320.X
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN103513508A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 程石良;陳琮瑜
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: G03F1/44
• 分類號: G03F1/44
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種灰階光掩膜，其特征在于，包含：

一第一圖案，具有一第一線寬；以及

一第二圖案，具有一第二線寬，其中該第二圖案具有一灰階密度。

2.根據權利要求1所述的灰階光掩膜，其特征在于該第二圖案均勻地覆蓋有多個網點。

3.根據權利要求2所述的灰階光掩膜，其特征在于，該等網點包含不透光材質。

4.根據權利要求1所述的灰階光掩膜，其特征在于，該第二圖案的透光率小于100％。

5.根據權利要求1所述的灰階光掩膜，其特征在于，該第一線寬不等于該第二線寬。

6.一種在基底中形成溝渠的方法，其特征在于，包含：

以根據權利要求1至5任一項所述的該灰階光掩膜進行一直接燒蝕工藝，以在一基底中形成一第四溝渠對應該第一圖形，以及一第五溝渠對應該第二圖形，其中該第四溝渠以及該第五溝渠的深度相同。

7.一種在基底中形成溝渠的方法，其特征在于，包含：

以根據權利要求1至5任一項所述的該灰階光掩膜進行一直接燒蝕工藝，以在一基底中形成一第十溝渠對應該第一圖形，以及一第十一溝渠對應該第二圖形，其中該第十溝渠以及該第十一溝渠的深度不同。

8.一種灰階光掩膜的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

提供一光掩膜，該光掩膜具有一第一圖形具有一第一線寬，以及一第二圖形具有一第二線寬；

以該光掩膜進行一直接激光燒蝕工藝，以在該基底中形成一第第一溝渠對應該第一圖形并具有一第一深度，以及一第二溝渠對應該第二圖形并具有一第二深度；以及

形成一灰階光掩膜，該灰階光掩膜具有該第一圖形以及該第二圖形，其中該第二圖形具有一第二灰階密度。

9.根據權利要求8所述的灰階光掩膜的制作方法，其特征在于，該第二灰階密度＝(1-一第二預定深度/該第二深度)。

10.根據權利要求9所述的灰階光掩膜的制作方法，其特征在于，該灰階光掩膜的該第一圖形具有一第一灰階密度，且該第一灰階密度＝(1-一第一預定深度/該第一深度)。

11.根據權利要求8所述的灰階光掩膜的制作方法，其特征在于，還包含回歸步驟。

12.一種在基底中形成溝渠的方法，其特征在于，包含：

以如權利要求10所述的灰階光掩膜的制作方法形成該灰階光掩膜；以及以該灰階光掩膜進行另一直接激光燒蝕工藝，以在另一基底中形成一第四溝渠對應該第一圖形，以及一第五溝渠對應該第二圖形。

13.根據權利要求12所述的在基底中形成溝渠的方法，其特征在于，該第一預定深度等于該第二預定深度。

14.根據權利要求13所述的在基底中形成溝渠的方法，其特征在于，該第一預定深度等于該第二預定深度等于該第一深度。

15.根據權利要求10所述的在基底中形成溝渠的方法，其特征在于，該第一預定深度不等于該第二預定深度。