[發明專利]一種R-高喜樹堿中間體的制備方法有效
| 申請號: | 201210204113.4 | 申請日: | 2012-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN102718770A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 張萬年;繆震元;祝令建;盛春泉;姚建忠 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍第二軍醫大學 |
| 主分類號: | C07D491/147 | 分類號: | C07D491/147;C07D491/22 |
| 代理公司: | 上海德昭知識產權代理有限公司 31204 | 代理人: | 丁振英 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 喜樹堿 中間體 制備 方法 | ||
1.一種R-高喜樹堿中間體R-CDE環(I)的制備方法,其化學結構如下:
式中R1為氫或含C1~C5的直鏈烷基,
具體步驟為:
1)將(R)-3-乙酰基-4-苯基-2-噁唑烷酮類化合物(IV)溶解于溶劑配制成溶液,在強堿作用下,使(R)-3-乙酰基-4-苯基-2-噁唑烷酮類化合物(IV)酰基烯醇化為鋰鹽,經過不對稱Aldol縮合反應獲得高光學純的化合物(V):
其中R1為氫或C1~C5的直鏈烷基,R2和R3分別為氫、C1~C5的直鏈烷基或C6~C8的芳烷基,
所說的強堿選自正丁基鋰、異丁基鋰、二異丙基氨基鋰、六甲基二硅基胺基鋰,所說的溶劑選自二氯甲烷、四氫呋喃、甲苯、乙醚或苯中的一種或幾種,反應溫度為-10℃~-100℃,反應時間控制在0.5~5小時;
2)在堿性條件下將化合物(V)經過“一鍋法”脫除硅醚保護和酰胺水解獲得酸衍生物,最后在酸催化下環合成光學純的化合物(I):
脫硅醚保護所用試劑為堿和20%-30%的過氧化氫的混合物,酰胺水解和脫硅醚保護所用堿選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、碳酸鉀或碳酸銫,環合生成化合物I所用酸選自鹽酸、硫酸、磷酸、氫溴酸、硝酸、醋酸、三氟乙酸、對甲苯磺酸、水楊酸或草酸中的一種或幾種,反應溫度為0℃~60℃,反應時間控制在6-24小時。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于步驟1)中R1為C1~C5的直鏈烷基;R2和R3分別為C1~C5的直鏈烷基或C6~C8的芳烷基。
3.如權利要求1或2所述的方法,其特征在于步驟1)中所用堿為二異丙基氨基鋰或六甲基二硅基胺基鋰。
4.如權利要求1或2所述的方法,其特征在于步驟1)中所用溶劑為四氫呋喃或乙醚。
5.如權利要求3所述的方法,其特征在于步驟1)中所用溶劑為四氫呋喃或乙醚。
6.如權利要求1、2或5所述的方法,其特征在于步驟1)中反應溫度為-78℃~-100℃。
7.如權利要求4所述的方法,其特征在于步驟1)中反應溫度為-78℃~-100℃。
8.如權利要求1、2、5或7所述的方法,其特征在于步驟2)中R1為C1~C5的直鏈烷基,R2和R3分別為C1~C5的直鏈烷基或C6~C8的芳烷基。
9.如權利要求3所述的方法,其特征在于步驟2)中R1為C1~C5的直鏈烷基,R2和R3分別為C1~C5的直鏈烷基或C6~C8的芳烷基。
10.如權利要求4所述的方法,其特征在于步驟2)中R1為C1~C5的直鏈烷基,R2和R3分別為C1~C5的直鏈烷基或C6~C8的芳烷基。
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