[發(fā)明專利]跟蹤旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210204062.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN103165504B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾威翔;彭瑞君;何開發(fā);陳和平;李家筠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/312
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種晶圓吸盤，包括：

多個(gè)真空孔，與腔體流體連通，其中，所述腔體沿著所述晶圓吸盤的頂面在所述真空孔之間連續(xù)延伸，所述晶圓吸盤被配置以接納工件，所述晶圓吸盤與所述工件物理接觸的表面僅位于所述晶圓吸盤的周邊；以及

真空源，連接至所述多個(gè)真空孔并且被配置以在所述腔體內(nèi)形成低壓真空，其中，相應(yīng)的真空孔被配置成用于在所述腔體內(nèi)形成所述低壓真空以減少所述工件彎曲。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，進(jìn)一步包括：

旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，被配置成使所述晶圓吸盤繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)軸與所述晶圓吸盤的中心垂直地進(jìn)行延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述腔體包括位于所述頂面內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)共心溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述真空源包括單個(gè)真空泵，所述真空源通過真空線路連接至所述多個(gè)真空孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述晶圓吸盤被配置成接納直徑大于或等于300mm的工件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述多個(gè)真空孔以大于或等于所述晶圓吸盤的直徑的1/3的距離彼此分離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述多個(gè)真空孔包括放置成三角形圖案的至少三個(gè)真空孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述多個(gè)真空孔包括放置成直線圖案的至少兩個(gè)真空孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸盤，其中，所述真空孔包括三角形、正方形、或者多邊形。

10.一種可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤系統(tǒng)，包括：

可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤，具有第一真空孔和第二真空孔，所述第一真空孔和所述第二真空孔與沿著所述可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤的頂面定位的腔體直接連通；所述可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤與工件物理接觸的表面僅位于所述可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤的周邊；

其中，所述第一真空孔和所述第二真空孔被配置成用于通過分別在所述腔體內(nèi)形成第一壓力區(qū)域和第二壓力區(qū)域以及在所述第一壓力區(qū)域和所述第二壓力區(qū)域之間形成中間壓力區(qū)域而在所述腔體內(nèi)形成低壓真空以減少工件彎曲；以及

其中，所述第二壓力區(qū)域減小了所述第一壓力區(qū)域和所述中間壓力區(qū)域之間的壓力梯度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤系統(tǒng)，其中，所述第一真空孔和所述第二真空孔放置成直線圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤系統(tǒng)，其中，所述可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤包括三角形圖案的至少三個(gè)真空孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤系統(tǒng)，其中，所述可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤被配置成接納直徑大于或等于300mm的工件。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤系統(tǒng)，其中，所述真空孔以大于或等于所述可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤的直徑的1/3的距離彼此分離。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可旋轉(zhuǎn)晶圓吸盤系統(tǒng)，其中，所述腔體包括所述頂面內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)共心溝槽。

16.一種用于在工件上方形成光刻膠層的方法，包括：

將工件置于晶圓吸盤的頂面上方，所述晶圓吸盤包括多個(gè)真空孔，所述多個(gè)真空孔與位于所述晶圓吸盤和所述工件之間的腔體直接連通，所述晶圓吸盤與所述工件物理接觸的表面僅位于所述晶圓吸盤的周邊；

以使所述多個(gè)真空孔分別用于在所述腔體內(nèi)形成低壓真空的方式操作真空源，從而在所述腔體上方形成均勻分布的真空以減少所述工件彎曲，所述腔體將所述工件保持在所述晶圓吸盤；

將光刻膠沉積在所述工件上方；以及

使所述晶圓吸盤以100RPM至500RPM或者2000RPM至4000RPM的較高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，從而將所述光刻膠均勻分布在所述工件上方。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述晶圓吸盤的所述頂面被配置成接納直徑大于或等于300mm的工件。