[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210203861.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102723397A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳淵淵;鄭新和;張東炎;李雪飛;陸書(shū)龍;楊輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0735 | 分類號(hào): | H01L31/0735;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孫佳胤;翟羽 |
| 地址: | 215125 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 異質(zhì)結(jié) 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,包括一具有第一導(dǎo)電類型的第一薄膜,以及在第一薄膜表面依次設(shè)置的一有源區(qū)及一具有第二導(dǎo)電類型的第二薄膜,其特征在于,所述第一薄膜與有源區(qū)之間還包括一與第一薄膜相異質(zhì)的第一漸變緩沖層,第二薄膜與有源區(qū)之間還包括一與第二薄膜相異質(zhì)的第二漸變緩沖層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,進(jìn)一步包括一襯底以及一電流擴(kuò)展層,所述第一薄膜設(shè)置在襯底表面,所述電流擴(kuò)展層設(shè)置在第二薄膜表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述第一漸變緩沖層的材料與第二漸變緩沖層的材料均為InxGa1-xN,有源區(qū)的材料為InyGa1-yN,y的范圍為0至1;第一漸變緩沖層中x按照遠(yuǎn)離襯底方向由0漸變至y,而第二漸變緩沖層中x按照遠(yuǎn)離襯底方向由y漸變至0。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,進(jìn)一步包括一緩沖層,置于襯底與第一薄膜之間。
5.一種權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于,包括步驟:?1)在第一薄膜裸露表面生長(zhǎng)與第一薄膜相異質(zhì)的第一漸變緩沖層;?2)在第一漸變緩沖層裸露表面外延生長(zhǎng)有源區(qū);?3)在有源區(qū)裸露表面生長(zhǎng)第二漸變緩沖層;?4)在第二漸變緩沖層裸露表面生長(zhǎng)與第二漸變緩沖層相異質(zhì)的第二薄膜層,且第一薄膜與第二薄膜的導(dǎo)電類型相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于,所述步驟1)之前進(jìn)一步包括步驟:提供一襯底,在襯底表面生長(zhǎng)第一薄膜;所述步驟4)之后進(jìn)一步包括步驟:在第二薄膜裸露表面生長(zhǎng)電流擴(kuò)展層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于,所述步驟1)中第一漸變緩沖層的生長(zhǎng)和步驟3)中第二漸變緩沖層的生長(zhǎng)均采用組分線性變化生長(zhǎng)或組分突變生長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于,所述在襯底表面生長(zhǎng)第一薄膜的步驟,進(jìn)一步包括步驟:在襯底表面生長(zhǎng)一緩沖層,后在緩沖層表面生長(zhǎng)第一薄膜。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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