[發(fā)明專利]多結(jié)疊層電池及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210203859.3
• 申請(qǐng)日: 2012-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN102738292A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭新和;張東炎;李雪飛;吳淵淵;陸書龍;楊輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): H01L31/078
• 分類號(hào): H01L31/078;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種多結(jié)疊層電池，包括一襯底、一InGaN基電池膜層與一III-V族多結(jié)電池膜層，所述襯底置于所述III-V族多結(jié)電池膜層的裸露表面，其特征在于，所述InGaN基電池膜層與III-V族多結(jié)電池膜層之間通過鍵合方式連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)疊層電池，其特征在于，所述InGaN基電池膜層與III-V族多結(jié)電池膜層均采用雙層臺(tái)面結(jié)構(gòu)，且所述InGaN基電池膜層與III-V族多結(jié)電池膜層中每層臺(tái)面結(jié)構(gòu)裸露表面均設(shè)置一電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)疊層電池，其特征在于，所述III-V族多結(jié)電池膜層為Ge/Ge/GaAs/GaAs/GaAs/GaAs/GaAs/GaInP/GaInP/GaInP/AlInP、InGaAs/InGaAs/GaInP/InGaAs/GaAs/GaAs/GaInP/AlGaAs/GaInP/GaInP/AlInP與Ge/Ge/GaAs/GaAs/InGaAs/InGaAs/GaAs/GaInP/AlGaAs/AlGaAs/AlInP中任意一種。

4.一種如權(quán)利要求1所述的多結(jié)疊層電池的制備方法，其特征在于，包括步驟：?1）提供一第一襯底、一第二襯底；?2）在所述第一襯底生長(zhǎng)InGaN基電池膜層，在第二襯底上生長(zhǎng)III-V族多結(jié)電池膜層；?3）從InGaN基電池膜層上剝離第一襯底，剩下InGaN基電池膜層；?4）將InGaN基電池膜層的任意裸露表面鍵合至III-V族多結(jié)電池膜層的裸露表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多結(jié)疊層電池的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步包括步驟：?5）圖形化所述InGaN基電池膜層與III-V族多結(jié)電池膜層，使得上述兩膜層均形成雙層臺(tái)面結(jié)構(gòu)；?6）在所述InGaN基電池膜層與III-V族多結(jié)電池膜層中每層臺(tái)面結(jié)構(gòu)裸露表面均設(shè)置一電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多結(jié)疊層電池的制備方法，其特征在于，所述步驟4）中鍵合的方式包括采用共熔、過渡層、高溫處理以及靜電鍵合中任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多結(jié)疊層電池的制備方法，其特征在于，所述過渡層的材料為鋁、鈦、硅化鉑中任意一種或多種。