[發(fā)明專利]溝槽MOSFET器件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210203674.2
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN103050409A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹功勛;柯行飛;李江華;張朝陽
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

一.在硅片外延層上方形成硬掩膜；

二.利用硬掩膜，在硅片外延層上進行溝槽刻蝕，形成一個或多個溝槽；

三.在硅片上淀積柵氧化層；

四.在柵氧化層上淀積多晶硅；

五.回刻多晶硅，去除溝槽外的多晶硅；

六.在硅片上淀積一層氮化硅；

七.進行與硅片外延層摻雜類型相反的雜質(zhì)注入，并進行熱推進，在硅片外延層上形成體區(qū)，體區(qū)低于溝槽內(nèi)的多晶硅的上表面，高于溝槽內(nèi)的多晶硅的下表面；

八.進行與硅片外延層摻雜類型相同的雜質(zhì)注入，并進行熱推進，在體區(qū)上方形成源極重摻雜區(qū)；

九.去除氮化硅；

十.進行后續(xù)工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

所述后續(xù)工藝包括淀積層間介質(zhì)、通孔光刻刻蝕、通孔金屬填充、金屬連線形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

步驟六中，在硅片上淀積的一層氮化硅的厚度為60到200埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

步驟六中，在硅片上淀積的一層氮化硅的厚度為80埃、100埃或120埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

步驟九中，通過濕法刻蝕去除氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

步驟一在硅片外延層上方形成的硬掩膜為氧化硅；

步驟三在硅片上淀積的柵氧化層為氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

所述溝槽MOSFET器件為PMOSFET，外延層的摻雜為P型，體區(qū)的摻雜為N型，源極重摻雜區(qū)的摻雜為P型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

步驟七中，進行砷雜質(zhì)注入，并進行熱推進，在硅片外延層上形成體區(qū)；

步驟八中，進行硼雜質(zhì)注入，并進行熱推進，在體區(qū)上方形成源極重摻雜區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，

在步驟六之后，先進行熱過程以修復柵氧化層，然后在進行步驟七。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在步驟六與步驟七之間的熱過程的溫度為800℃到1200℃，時間為20到50分鐘。