[發明專利]形成金屬氟化物膜的方法和制造光學器件的方法有效
| 申請號： | 201210203438.0 | 申請日： | 2012-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN102828151A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 秋葉英生 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/34;G02B1/11 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 金屬 氟化物 方法 制造 光學 器件 | ||
【權利要求書】：
1.形成金屬氟化物的方法，包括：
使用金屬的靶和混合氣體通過反應濺射在基板上形成金屬氟化物膜，該混合氣體含有O2氣和反應性氣體，該反應性氣體為碳氟化合物氣體。
2.根據權利要求1的方法，其中該碳氟化合物氣體是由CHF2CH2CF3表示的1，1，1，3，3-五氟丙烷。
3.根據權利要求1的方法，其中通過將直流電壓施加于該靶，或者通過將頻率為100kHz以下的脈沖直流電壓施加于該靶來進行該濺射。
4.根據權利要求1的方法，其中該金屬為Mg或Al。
5.根據權利要求1的方法，其中使該基板位于以下區域外來進行該濺射：將靶的表面在與該靶的表面垂直的方向上投影的區域。
6.根據權利要求1的方法，其中該碳氟化合物氣體占該混合氣體的50％-90％。
7.制造光學器件的方法，包括通過權利要求1中所述的方法在基板的表面上形成膜，其中該基板為光學元件。
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