[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光組件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210202770.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-03-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102751272A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小松原聰;福田健一;大峠忍;古田亨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 島根縣;株式會(huì)社島根電子今福制作所 |
| 主分類號(hào): | H01L25/075 | 分類號(hào): | H01L25/075;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 發(fā)光 組件 及其 制造 方法 | ||
本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2009年03月19日、國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/JP2007/066194,國(guó)內(nèi)申請(qǐng)?zhí)枮?00980109634.8、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體發(fā)光組件及其制造方法”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光組件及其制造方法,更具體而言,涉及一種能高亮度發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光組件及其制造方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),人們?cè)诟鞣N領(lǐng)域使用發(fā)光功率較高的發(fā)光二極管(LED)等半導(dǎo)體發(fā)光元件,開發(fā)出利用半導(dǎo)體發(fā)光元件的各種裝置。特別是作為通過(guò)使用大電流、或利用反射板等高效率地進(jìn)行照射來(lái)取代現(xiàn)有技術(shù)中的熒光燈、白熾燈的照明用的利用很受關(guān)注,人們提出消除伴隨發(fā)光而產(chǎn)生的發(fā)熱問(wèn)題的技術(shù)。
例如,提出一種發(fā)光裝置,其特征為在由鋁形成的金屬板上設(shè)有向前方突出的突出部,該突出部的前表面上形成有收納凹部,該收納凹部的底面上安裝有半導(dǎo)體發(fā)光元件,LED元件與金屬板熱耦合,金屬板的前表面上結(jié)合有由玻璃環(huán)氧基板形成的印刷電路板,與現(xiàn)有技術(shù)相比能提高散熱性且能將半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光高效地提取到外部(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。另外還提出一種LED安裝用印刷電路板,在用于安裝LED的LED安裝用印刷電路板中,與LED電連接的布線圖案設(shè)于絕緣層的一側(cè)上,用于散去由LED產(chǎn)生的熱量的散熱用金屬層設(shè)于絕緣層的另一側(cè)上,通過(guò)形成由布線圖案?jìng)?cè)貫穿絕緣層并到達(dá)散熱用金屬層內(nèi)部的LED安裝用凹部,從而能制造出即使提高發(fā)光度也難以引起熱劣化的散熱性好的照明光源(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。
此外,還提出一種發(fā)光裝置,包括:基體,其具有在上表面上載置有發(fā)光元件的載置部;反射構(gòu)件,其呈框狀,以圍繞載置部的方式接合于基體上表面的外周部,且內(nèi)周面為反射由發(fā)光元件發(fā)出的光的反射面;發(fā)光元件,其載置于載置部上;透光性構(gòu)件,其含有使發(fā)光元件所發(fā)出的光的波長(zhǎng)變換且密度為3.8g/cm3~7.3g/cm3的熒光體且由固化前的粘度為0.4Pa·s~50Pa·s的樹脂構(gòu)成,該發(fā)光裝置的光提取效率、色溫、顯色屬性優(yōu)良且所發(fā)出的光的發(fā)光強(qiáng)度良好(例如,參照專利文獻(xiàn)3)。
但是,在采用專利文獻(xiàn)1的發(fā)明的發(fā)光二極管組件中,因?yàn)楸砻娴那氨砻嫔险迟N有印刷電路板,所以由元件所產(chǎn)生的熱量傳到金屬板上,再經(jīng)由熱傳導(dǎo)率較低的印刷電路板由前表面進(jìn)行散熱,而存在由前表面所進(jìn)行的散熱無(wú)法高效進(jìn)行的缺點(diǎn)。
另外,雖然還提出有為了有效使用像專利文獻(xiàn)2或3的發(fā)明那樣的發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光而形成凹部,并在其中接合發(fā)光二極管芯片的發(fā)明,但是在這些方法中,在其構(gòu)造上或制法上,成為基礎(chǔ)的金屬板等有必要具有作為發(fā)光組件的凹部的凹陷深度以上的厚度,而無(wú)法成為輕量的半導(dǎo)體發(fā)光組件。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體發(fā)光組件及其制造方法,該半導(dǎo)體發(fā)光組件能維持相對(duì)較高的反射率,得到均勻的白色光,以及提高光提取效率,能高亮度發(fā)光并能實(shí)現(xiàn)輕量薄型化。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-152225號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2005-243744號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開2005-277331號(hào)公報(bào)
為了達(dá)成這樣的目的,第1技術(shù)方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光組件,其特征在于,包括:半導(dǎo)體發(fā)光元件;板件,各半導(dǎo)體發(fā)光元件與其表面接觸并配置在其表面;電路板,其覆蓋板件表面的除了各半導(dǎo)體發(fā)光元件及各半導(dǎo)體發(fā)光元件附近之外的任意部分,且與各半導(dǎo)體發(fā)光元件電連接并成為提供電力的電極,該電路板覆蓋板件的部分的面積比板件的除了各半導(dǎo)體發(fā)光元件及各半導(dǎo)體發(fā)光元件附近之外的部分的面積小,以便使板件的一部分暴露。
在第1技術(shù)方案所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件的基礎(chǔ)上,第2技術(shù)方案的特征在于,通過(guò)在板件的表面形成有高反射膜來(lái)反射由半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光。
第3技術(shù)方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光組件,其特征在于,包括:多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件;多塊板件,各半導(dǎo)體發(fā)光元件與其表面接觸并配置在其表面;一塊電路板,其覆蓋多塊板件的各表面的除了各半導(dǎo)體發(fā)光元件及各半導(dǎo)體發(fā)光元件附近之外的任意部分,且與各半導(dǎo)體發(fā)光元件電連接并成為提供電力的電極,該電路板分別連接多塊板件,且覆蓋板件的部分的面積比板件的除了各半導(dǎo)體發(fā)光元件及各半導(dǎo)體發(fā)光元件附近之外的部分的面積小,以便使各板件的一部分暴露。
在第3技術(shù)方案所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件的基礎(chǔ)上,第4技術(shù)方案的特征在于,多塊板件呈陣列狀配置,呈陣列狀沿縱向配置的多塊板件的寬度比一塊電路板的寬度寬。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





