[發明專利]發光二極管陣列及發光二極管芯片

無效

• 申請號: 201210202715.6
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN103515407A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 楊適存;陳嘉南;劉恒
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種發光二極管陣列，其特征在于，包括：

一基板；

多個發光二極管單元，位于該基板上且彼此電性隔離，每一發光二極管單元包括：

一n側氮化物半導體層；

一p側氮化物半導體層；與

一主動層，位于該n側氮化物半導體層與該p側氮化物半導體層之間；

至少一導光結構，位于相鄰二該發光二極管單元之間的一間隔；及

多條互聯機，電性連接該些發光二極管單元。

2.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該導光結構與該些發光二極管單元彼此電性隔離。

3.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該導光結構與該發光二極管單元的結構相同。

4.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該導光結構系于相鄰二該發光二極管單元之間的該間隔形成時，同時形成于該間隔中。

5.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該發光二極管單元更包括：

一未摻雜層，該未摻雜層位于該n側氮化物半導體層與該基板之間。

6.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該導光結構的垂直剖面系為上窄下寬的型態。

7.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該導光結構的形狀系選自于由柱狀、墻狀及其組合所構成的群組。

8.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該導光結構包括：

一第一導光墻，鄰近該發光二極管的一第一邊長；以及

一第二導光墻，鄰近該發光二極管的一第二邊長；

其中，該第一邊長與該第二邊長系為該發光二極管的相鄰兩邊，該第一導光墻與該第二導光墻相互連接或不連接。

9.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，該互聯機的至少一部分位于該間隔上，且該互聯機與該導光結構錯開設置。

10.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：

一基板；

一發光二極管單元，位于該基板上且包括：

一n側氮化物半導體層；

一p側氮化物半導體層；

一主動層，位于該n側氮化物半導體層與該p側氮化物半導體層之間；及

至少一導光墻，鄰近該發光二極管單元的一邊緣。

11.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該導光墻與該發光二極管單元彼此電性隔離或電性連接。

12.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該導光墻與該發光二極管單元的結構相同。

13.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該導光墻與該發光二極管單元之間具有一間隔。

14.根據權利要求13所述的發光二極管芯片，其特征在于，該間隔、該導光墻與該發光二極管單元同時形成。

15.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該發光二極管單元更包括：

一未摻雜層，該未摻雜層位于該n側氮化物半導體層與該基板之間。

16.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該導光墻的垂直剖面為上窄下寬的型態。

17.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該導光墻為封閉環形結構或非封閉環形結構，且環繞該發光二極管單元。

18.根據權利要求10所述的發光二極管芯片，其特征在于，該至少一個導光墻包括多個導光墻，該些導光墻分離地配置。