[發明專利]具有介電隔離溝槽的橫向MOSFET

有效

• 申請號: 201210202711.8
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN103311272A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 陳柏羽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

具有第一導電性的襯底，所述襯底包括埋在所述襯底中的絕緣層；

形成在所述襯底中的具有第二導電性的體區域；

形成在所述襯底中的隔離區；

形成在所述體區域中的具有所述第一導電性的第一有源區；

形成所述襯底中的具有所述第一導電性的第二有源區，其中所述第一有源區和所述第二有源區形成在所述隔離區的相對側；

漂移區，包括：

形成在所述第二有源區和所述絕緣層之間的具有所述第一導電性和第一摻雜密度的第一漂移區；和

形成在所述隔離區和所述絕緣層之間的具有所述第一導電性和第二摻雜密度的第二漂移區；

形成在所述襯底上方的第一介電層；以及

形成在所述第一介電層上方的柵極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一介電層形成在所述柵極與所述第一有源區之間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一導電性為N型；以及

所述第二導電性為P型。

4.一種器件，包括：

埋在具有第一導電類型的襯底中的絕緣層；

形成在所述絕緣層上方的具有所述第一導電類型的漂移區；

形成所述漂移區上方的隔離區；

形成在所述漂移區上方的具有所述第一導電類型的漏極區；

形成所述襯底中的具有第二導電類型的體區域；

形成在所述體區域中的具有所述第一導電類型的源極區，其中所述源極區和所述漏極區形成在所述隔離區的相對側；以及

鄰近所述源極區形成的柵極。

5.根據權利要求4所述的器件，其中：

所述第一導電類型為n型導電性；以及

所述第二導電類型為p型導電性。

6.根據權利要求4所述的器件，其中：

所述第一導電類型為p型導電性；以及

所述第二導電類型為n型導電性。

7.一種方法，包括：

提供具有第一導電類型的襯底；

在所述襯底中埋入絕緣層；

在所述絕緣層上方形成隔離區；

在所述襯底中的所述絕緣層上方形成具有第二導電類型的體區域；

注入具有所述第一導電類型的離子以形成第一漂移區，其中所述第一漂移區位于所述絕緣層與所述隔離區之間；

注入具有所述第一導電類型的離子以形成第二漂移區；

注入具有所述第一導電類型的離子以形成漏極區，其中所述第二漂移區位于所述漏極區與所述絕緣層之間；

注入具有所述第一導電類型的離子以在所述體區域中形成源極區，其中所述源極區和所述漏極區位于所述隔離區的相對側；以及

鄰近所述源極區形成柵極結構。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

形成位于所述柵極與所述源極區之間的第一介電層；以及

形成位于所述柵極與所述襯底之間的第二介電層。

9.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

在所述襯底中的溝槽中形成所述隔離區，其中所述溝槽的底部與所述絕緣層的頂面之間的距離在0.05um到0.3um的范圍內。

10.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

在所述襯底中形成二氧化硅絕緣層；以及

在所述二氧化硅絕緣層上方形成二氧化硅隔離區。