[發(fā)明專(zhuān)利]互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感測(cè)器的操作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210202606.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-11-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102752562A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 詹偉廷;高銘璨;許恩峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 原相科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04N5/374 | 分類(lèi)號(hào): | H04N5/374;H04N5/378;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互補(bǔ) 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 圖像 感測(cè)器 操作方法 | ||
1.一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感測(cè)器的操作方法,其特征在于,所述方法包括下列步驟:
通過(guò)一像素陣列單元感測(cè)一物件,所述像素陣列單元包括M個(gè)像素以及P個(gè)多工器,所述M個(gè)像素中的每一個(gè)分別與所述P個(gè)多工器的其中之一電性連接,M為一正整數(shù),P為一小于或等于M的正整數(shù);
計(jì)算對(duì)應(yīng)所述物件的一感測(cè)區(qū)域,所述感測(cè)區(qū)域包括所述M個(gè)像素中的N個(gè)像素,N為一小于或等于M的正整數(shù);
產(chǎn)生一列選擇信號(hào);以及
控制與所述N個(gè)像素電性連接的Q個(gè)多工器將所述列選擇信號(hào)供應(yīng)給所述N個(gè)像素,Q為一小于或等于N且小于或等于P的正整數(shù);
用以列為主的順序讀取所述感測(cè)區(qū)域的所述N個(gè)像素所產(chǎn)生的信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的操作方法,其特征在于,所述方法還包括下列步驟:
當(dāng)所述感測(cè)區(qū)域超出所述像素陣列單元的一實(shí)體區(qū)域時(shí),在超出的部分加入至少一虛擬像素,且所述感測(cè)區(qū)域?yàn)橐黄叫兴倪呅巍?/p>
3.如權(quán)利要求1所述的操作方法,其特征在于,當(dāng)P小于M時(shí),所述M個(gè)像素中的至少兩個(gè)像素同時(shí)電性連接至所述P個(gè)多工器中的一個(gè)多工器,且所述至少兩個(gè)像素位于所述像素陣列單元中的不同行和同一列。
4.一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感測(cè)器的操作方法,其特征在于,所述方法包括下列步驟:
通過(guò)一像素陣列單元感測(cè)一物件,所述像素陣列單元包括M個(gè)像素,M為一正整數(shù);
計(jì)算對(duì)應(yīng)所述物件的一感測(cè)區(qū)域,所述感測(cè)區(qū)域包括所述M個(gè)像素中的N個(gè)像素,N為一小于或等于M的正整數(shù);
產(chǎn)生一列選擇信號(hào),以控制所述M個(gè)像素輸出其所產(chǎn)生的信號(hào);
計(jì)算位于所述感測(cè)區(qū)域中的每一列的一第一個(gè)像素與一最后一個(gè)像素;
用以列為主的順序自每一列的所述第一個(gè)像素讀取至所述最后一個(gè)像素;以及
輸出所述N個(gè)像素所產(chǎn)生的信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的操作方法,其特征在于,所述方法還包括下列步驟:
當(dāng)所述感測(cè)區(qū)域超出所述像素陣列單元的一實(shí)體區(qū)域時(shí),在超出的部分加入至少一虛擬像素,且所述感測(cè)區(qū)域?yàn)橐黄叫兴倪呅巍?/p>
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