[發明專利]回流焊和清理集成工藝以及實施該工藝的設備

有效

• 申請號: 201210202183.6
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN103143798A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 劉重希;黃見翎;張博平;黃英叡
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B23K1/00
• 分類號: B23K1/00;B23K3/00;B23K3/08;H01L21/60;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，所述方法包括：

對封裝結構的焊料區進行回流焊；以及

在高于室溫的清理溫度下對所述封裝結構實施清理，其中在所述回流焊步驟和所述清理步驟之間，所述封裝結構未被冷卻到接近于所述室溫的溫度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述回流焊步驟包括：

將所述封裝結構加熱到高于所述焊料區的熔點的第一溫度；以及

將所述封裝結構冷卻到低于所述焊料區的所述熔點以及高于所述清理溫度的第二溫度。

3.權利要求2所述的方法，進一步包括：在所述冷卻步驟之后以及所述清理步驟之前，將所述封裝結構的溫度穩定在高于所述清理溫度的緩沖溫度。

4.一種方法，所述方法包括：

將封裝結構傳送進加熱區域以熔化焊料區，其中所述封裝結構包括第一工件、第二工件以及在所述第一工件與所述第二工件之間的所述焊料區；

在所述焊料區熔化后，將所述封裝結構傳送進冷卻區域以冷卻所述焊料區；以及

將所述封裝結構傳送進熱熔劑噴灑區域，其中將助焊劑熔劑噴向所述封裝結構，所述助焊劑熔劑具有高于室溫的清理溫度，以及在從所述焊料區被熔化至所述助焊劑熔劑噴向所述封裝結構的期間，所述焊料區未發生實質的溫度上升。

5.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：在將所述封裝結構傳送進所述冷卻區域的步驟與將所述封裝結構傳送進所述熱溶劑噴灑區域的步驟之間，將所述封裝結構傳送進緩沖區域，所述緩沖區域具有高于所述清理溫度的緩沖溫度，并且其中所述緩沖溫度和所述清理溫度之間的溫度差小于約80攝氏度。

6.一種設備，所述設備包括：

回流焊與清理集成工具，包括：

加熱區域，配置成將在所述加熱區域中的封裝結構的焊料區加熱到高于所述焊料區的熔點的溫度；以及

助焊劑清理區域，配置成對封裝結構上的助焊劑進行清理，其中所述加熱區域和所述助焊劑清理區域設置在同一環境中。

7.根據權利要求6所述的設備，其中所述回流焊和清理集成工具配置成在不需要將所述封裝結構冷卻至接近于室溫的情況下將所述封裝結構從所述加熱區域傳送到所述助焊劑清理區域。

8.根據權利要求6所述的設備，其中所述助焊劑清理區域配置成在清理溫度下清理掉所述助焊劑，并且其中所述回流焊和清理集成工具配置成在不需要使所述封裝結構冷卻至實質上低于所述清理溫度的情況下將所述封裝結構從所述加熱區域傳送到所述助焊劑清理區域。

9.根據權利要求6所述的設備，其中所述助焊劑清理區域包括：

熱溶劑噴灑器；

第一熱空氣發生器以及鼓風機；

去離子水噴灑器；以及

第二熱空氣發生器以及鼓風機。

10.根據權利要求6所述的設備，其中所述助焊劑清理區域包括配置成用于將熱助焊劑溶劑噴至所述封裝結構的熱溶劑噴灑器，以及所述設備進一步包括：

冷卻區域，配置成冷卻所述封裝結構的所述焊料區；以及

緩沖區域，配置成吹具有高于所述熱助焊劑溶劑溫度的緩沖溫度的熱空氣。