[發(fā)明專利]一種制備二維納米薄膜的設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210201571.2
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN102732834A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設計）人: 徐明生;陳紅征;王秋來;黃文符
• 申請（專利權）人: 徐明生;陳紅征;王秋來;黃文符
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C16/44;C23C14/56;C23C16/54;B82Y40/00
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種制備二維納米薄膜的設備，包括化學氣相沉積腔室(2)，進料腔室(4)，物理氣相沉積腔室(6)和樣品傳遞裝置(1)和(8)?，其特征在于：

所述的進料腔室、化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室各腔室之間分別設有閥門，進料腔室設有與大氣相通的閥門；

所述的物理氣相沉積腔室(6)設有一個或二個以上的氣體連接口；

所述的物理氣相沉積腔室(6)設有物理氣相沉積系統(tǒng)；

所述的化學氣相沉積腔室(2)設有加熱裝置(11)；

所述的化學氣相沉積腔室(2)設有一個或二個以上的氣體連接口；

所述的進料腔室(4)、物理氣相沉積腔室(6)和化學氣相沉積腔室(2)均設有樣品升降裝置；

所述的進料腔室(4)、物理氣相沉積腔室(6)和化學氣相沉積腔室(2)中的至少一個腔室設有抽真空裝置。

2.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的化學氣相沉積腔室(2)設有等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)、微波等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)、氣溶膠輔助化學氣相沉積系統(tǒng)、電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)中的任意一種或二種以上的組合。

3.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的物理氣相沉積腔室(6)中設有離子束沉積系統(tǒng)、濺射沉積系統(tǒng)、電子束沉積系統(tǒng)、熱蒸鍍沉積系統(tǒng)、激光沉積系統(tǒng)、離子注入系統(tǒng)中的任意一種或二種以上的組合。

4.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的物理氣相沉積腔室(6)設有加熱裝置(13)。

5.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的化學氣相沉積腔室(2)和/或物理氣相沉積腔室(6)的腔壁設有冷卻系統(tǒng)。

6.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的化學氣相沉積腔室(2)和/或物理氣相沉積腔室(6)的腔室內(nèi)設有隔熱屏蔽系統(tǒng)。

7.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)設有樣品處理裝置(21)。

8.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)設有氣體連接口。

9.根據(jù)權利要求1所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的物理氣相沉積腔室(6)和/或化學氣相沉積腔室(4)設有樣品旋轉(zhuǎn)裝置。

10.根據(jù)權利要求1至9任一項所述的制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的二維納米薄膜包括石墨烯薄膜、金屬硫族化合物薄膜、氮化硼薄膜、硅烯薄膜、鍺烯薄膜或元素周期表中第四主族的其它元素構成的類石墨烯薄膜。