[發(fā)明專利]低含量鋁基合金分離濃縮與提純工藝及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210201544.5
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號(hào): CN102732754A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭有軍;趙洪生;王云利;栗爭光;沈利;金建華;劉金龍;翟寶辰;張志恒;趙云飛;高國平;于水;白潔;李福寶;李改英;文靜
• 申請（專利權(quán)）人: 包頭鋁業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): C22C21/00
• 分類號(hào): C22C21/00;C22C1/03;C22B9/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，其包括有如下裝置：熔化攪拌爐、濃縮分離筒、溢溜槽、高含量鋁基合金鑄造裝置、高純度鋁金屬鑄造裝置，所述濃縮分離筒包括：低含量鋁基合金液管、高含量鋁基合金液管、高純度鋁金屬液管、加熱裝置、控溫器和控流裝置，所述低含量鋁基合金液管、所述高含量鋁基合金液管和所述高純度鋁金屬液管連接構(gòu)成三通管結(jié)構(gòu)，其中所述熔化攪拌爐的出口與所述低含量鋁基合金液管相連，所述高含量鋁基合金鑄造裝置與所述高含量鋁基合金液管相連，所述溢溜槽的兩端分別與所述高純度鋁金屬液管和所述高純度鋁金屬鑄造裝置相連，所述加熱裝置安裝在所述高純度鋁金屬液管上，所述控溫器和所述控流裝置安裝在所述高含量鋁基合金液管上，所述熔化攪拌爐出口處鋁熔體液面要平于或高于所述溢溜槽中鋁熔體液面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，其還包括有二級鋁金屬鑄造裝置、二級溢溜槽和二級濃縮分離筒，所述二級濃縮分離筒包括：二級低含量鋁基合金液管、二級高含量鋁基合金液管、二級鋁金屬液管、二級加熱裝置、二級控溫器和二級控流裝置，所述二級低含量鋁基合金液管、所述二級高含量鋁基合金液管和所述二級鋁金屬液管連接構(gòu)成三通管結(jié)構(gòu)，所述二級低含量鋁基合金液管與所述高含量鋁基合金液管相連，所述二級高含量鋁基合金液管與所述高含量鋁基合金鑄造裝置相連，所述二級溢溜槽的兩端分別與所述二級鋁金屬液管和所述二級鋁金屬鑄造裝置相連，所述二級加熱裝置安裝在所述二級鋁金屬液管上，所述二級控溫器和所述二級控流裝置安裝在所述二級高含量鋁基合金液管上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，在所述高純度鋁金屬液管和所述高含量鋁基合金液管的管壁外側(cè)分別安裝有離心分離器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，在所述二級鋁金屬液管和所述二級高含量鋁基合金液管的管壁外側(cè)分別安裝有二級離心分離器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱裝置為感應(yīng)加熱器或電阻加熱器。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，所述二級加熱裝置為感應(yīng)加熱器或電阻加熱器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，所述控溫器由加熱器和冷卻器構(gòu)成，所述冷卻器為水循環(huán)冷卻。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，所述二級控溫器由加熱器和冷卻器構(gòu)成，所述冷卻器為水循環(huán)冷卻。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，所述離心分離器為磁力離心泵。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低含量鋁基合金分離濃縮與提純系統(tǒng)，其特征在于，所述二級離心分離器為磁力離心泵。