[發明專利]基于電致折射率改變的3D顯示設備和顯示方法

有效

• 申請號: 201210201522.9
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN103389587A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 馮林
• 申請（專利權）人: 馮林
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03;G02B27/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于電致折射率改變的3D顯示設備，該設備包括二維平面顯示屏、一設置于顯示屏前端的平板狀的透明電光晶體陣列，所述電光晶體陣列由與顯示屏像素點相同數量的方柱狀的電光晶體組成，每個電光晶體的與顯示屏平行的截面與顯示屏像素點的大小相同，且各電光晶體與顯示屏像素點相正對，該3D顯示設備還包括向各電光晶體施加電壓的透明電極以及與電極電性連接的控制模塊，所述控制模塊用于控制電極向電光晶體施加與該電光晶體相正對像素點的景深相對應的電壓。

2.根據權利要求1所述的基于電致折射率改變的3D顯示設備，其特征在于，各電光晶體為一次電光效應晶體。

3.根據權利要求2所述的基于電致折射率改變的3D顯示設備，其特征在于，所述各電光晶體為橫向電光效應晶體，所述電極相對設置電光晶體的兩側，設置在電光晶體兩側的電極與電光晶體陣列垂直，且設置在電光晶體兩側的兩電極相互平行。

4.根據權利要求3所述的基于電致折射率改變的3D顯示設備，其特征在于，橫向相鄰的電光晶體之間共用一電極，縱向相鄰的電光晶體之間分布有連接電極和控制模塊的透明導線，導線與電極垂直。

5.根據權利要求3或4所述的基于電致折射率改變的3D顯示設備，其特征在于，所述電光晶體為鉭鈮酸鋰或鉭鈮酸鉀。

6.根據權利要求5所述的基于電致折射率改變的3D顯示設備，其特征在于，所述透明電光晶體陣列的厚度為1mm～1m。

7.一種基于電致折射率改變的3D顯示方法，該方法包括：

在二維顯示屏前端設置平板狀的透明電光晶體陣列，所述電光晶體陣列由與二維顯示屏像素點相同數量的方柱狀的電光晶體組成，每個電光晶體的與顯示屏平行的截面與二維顯示屏像素點的大小相同，且各電光晶體與二維顯示屏像素點相正對，通過一控制模塊向電光晶體施加與該電光晶體相正對像素點的景深相對應的電壓。

8.根據權利要求7所述的基于電致折射率改變的3D顯示方法，其特征在于，所述各電光晶體為橫向電光效應晶體，所述控制模塊與向電光晶體施加電壓的電極電性連接，所述電極相對設置電光晶體的兩側，設置在電光晶體兩側的電極與電光晶體陣列垂直，且設置在電光晶體兩側的兩電極相互平行。

9.根據權利要求8所述的基于電致折射率改變的3D顯示方法，其特征在于，橫向相鄰的電光晶體之間共用一電極，縱向相鄰的電光晶體之間分布有連接電極和控制模塊的透明導線，導線與電極垂直。

10.根據權利要求8或9所述的基于電致折射率改變的3D顯示方法，其特征在于，與該電光晶體相正對的像素點的景深與各電光晶體施加的電壓的一次方成反比。